处理中...

首页  >  产品百科  >  BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 5系列, Vds=25 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 14M-BSC009NE2LS5ATMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1概述

    BSC009NE2LS5 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSC009NE2LS5 是一款采用SuperSO8封装的N沟道OptiMOSTM 5系列功率MOSFET,额定电压为25V。该器件主要用于高性能降压转换器,其主要功能是作为高效开关,在各类电源管理应用中提供低导通电阻和优越的热阻性能。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大额定电压(VDS):25V
    - 最大连续漏极电流(ID):223A
    - 最大栅源电压(VGS):±16V
    - 最大脉冲漏极电流(ID,pulse):892A
    - 击穿电流(IAS):50A
    - 击穿能量(EAS):90mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):25V
    - 阈值电压(VGS(th)):1.2V至2V
    - 栅泄漏电流(IGSS):≤100nA
    - 导通电阻(RDS(on)):最大0.9mΩ(VGS=4.5V)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):2900pF至3900pF
    - 输出电容(Coss):1400pF至1900pF
    - 反向传输电容(Crss):130pF
    - 开关电荷(Qg):20nC至28nC
    - 转换增益(gfs):75S至150S

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 最大RDS(on)仅为0.9mΩ(VGS=4.5V),适合需要高效率的电力应用。
    - 100%雪崩测试: 确保器件在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 优秀的热阻特性: 优化的散热设计使得器件能在高温环境下稳定运行。
    - 环保材料: Pb-free铅板,RoHS符合标准,卤素自由。
    - 广泛的工作温度范围: 适用于各种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - BSC009NE2LS5 主要应用于高性能降压转换器。它在电动车充电系统、数据中心电源管理系统等场合表现出色。

    - 使用建议:
    - 在使用时需要注意散热,尤其是在高负载情况下。
    - 需要确保电路的栅极驱动电压不超过±16V,避免损坏。
    - 器件的高脉冲电流能力使其适合短时间内的大电流冲击,但在持续高电流工作时应注意器件的温度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件具有多种接口,可以方便地与不同的电路板设计兼容。
    - 支持: Infineon Technologies提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何判断器件是否过热?
    - A: 通过监控散热器的温度来判断器件是否过热。超过安全工作温度(一般为150°C)应采取散热措施。
    - Q: 如何提高电路的能效?
    - A: 选择适当的栅极驱动电压和电流,同时确保电路的散热设计良好。
    - Q: 如何降低开关损耗?
    - A: 优化栅极驱动信号和控制策略,减少开关过程中的电容充放电时间。

    总结和推荐


    BSC009NE2LS5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、良好的热阻特性和100%雪崩测试验证,适用于各类高要求的电力应用。其优异的可靠性、宽泛的工作温度范围和环保特性使其成为市场上非常有竞争力的产品。综上所述,我们强烈推荐BSC009NE2LS5用于需要高性能、高可靠性的电力应用场合。

BSC009NE2LS5ATMA1参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 41A,100A
Vgs-栅源极电压 16V
栅极电荷 57nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.9nF@12V
Rds(On)-漏源导通电阻 900μΩ@ 30A,10V
最大功率耗散 2.5W(Ta),74W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 25V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.15mm*5.9mm*1mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC009NE2LS5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC009NE2LS5ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1数据手册

BSC009NE2LS5ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.8694
10+ ¥ 7.0522
30+ ¥ 6.1922
100+ ¥ 6.0202
300+ ¥ 5.7897
1000+ ¥ 5.621
库存: 1877
起订量: 1 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.86
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336