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IPD50P03P4L11ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 58W(Tc) 5V,16V 2V@ 85µA 55nC@ 10 V 1个P沟道 30V 10.5mΩ@ 50A,10V 50A 3.77nF@25V TO-252 贴片安装 6.22mm(宽度)
供应商型号: IPD50P03P4L11ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD50P03P4L11ATMA1

IPD50P03P4L11ATMA1概述

    IPD50P03P4L-11 OptiMOS®-P2 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPD50P03P4L-11 是一款由 Infineon Technologies 生产的 OptiMOS®-P2 系列 P 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。这款产品设计用于提供逆向电池保护等功能,适用于各种高要求的电子系统,特别是在需要高可靠性和高耐热性的应用场合。由于其出色的性能,该产品广泛应用于汽车、工业控制、电源管理等领域。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 持续漏极电流 \( ID \): 在 TC=25°C 下为 -50A,在 TC=100°C 下为 -42A。
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,\text{pulse}} \): 在 TC=25°C 下为 -200A。
    - 击穿电压 \( V{(BR)\text{DSS}} \): 在 \( V{GS}=0V \),\( ID=-1mA \) 下为 -30V。
    - 最大耗散功率 \( P{\text{tot}} \): 在 TC=25°C 下为 58W。
    - 热阻 \( R{\text{thJC}} \): 2.6K/W。
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): 在 \( V{DS}=-24V \),\( V{GS}=0V \),Tj=25°C 下为 -0.02 至 -1μA。

    - 机械特性:
    - 最大工作温度 \( Tj \) 和存储温度 \( T{\text{stg}} \): -55°C 到 +175°C。
    - 封装类型: PG-TO252-3-11。
    - 其他特性:
    - 符合 AEC 标准(汽车电子委员会标准)。
    - 峰值回流温度可达 260°C。
    - 通过 100% 雪崩测试。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: IPD50P03P4L-11 的最大导通电阻 \( R{DS(on)} \) 为 10.5 mΩ,这有助于降低系统的能耗并提高整体效率。
    - 宽工作温度范围: 该产品能够在极端环境下工作,适用于 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围。
    - 高可靠性: 经过 100% 雪崩测试,确保产品在恶劣条件下的稳定性和可靠性。
    - 环保: RoHS 合规,无铅化设计,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 逆向电池保护: 该产品特别适合于需要逆向电池保护的应用,例如汽车电池管理系统。
    - 电源管理: 可以用于电源转换和电池充电等电源管理应用。
    - 推荐使用: 建议在需要高性能、高可靠性和宽工作温度范围的应用中使用该产品。在使用时,需确保 PCB 设计充分考虑散热问题,特别是在高温环境中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与标准 TO-252 封装兼容,可以轻松集成到现有的 PCB 设计中。
    - 支持: Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过 Infineon 官网获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高电流脉冲下是否会损坏?
    - A: 不会。IPD50P03P4L-11 在脉冲漏极电流 \( I{D,\text{pulse}} \) 下有良好的表现,但在实际应用中仍需注意热管理和电路设计。

    - Q: 如何正确测量其热阻?
    - A: 参考技术手册中的详细说明,使用标准的热阻测试方法进行测量,确保测量准确。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPD50P03P4L-11 是一款具有高可靠性和宽工作温度范围的 P 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。其低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。如果您正在寻找高性能、高可靠性的 MOSFET,强烈推荐使用此产品。

IPD50P03P4L11ATMA1参数

参数
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 58W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 85µA
栅极电荷 55nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ@ 50A,10V
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 5V,16V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.77nF@25V
长*宽*高 6.22mm(宽度)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

IPD50P03P4L11ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD50P03P4L11ATMA1数据手册

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IPD50P03P4L11ATMA1封装设计

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