处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOSFET管, 18 A, PG-TO 220封装
供应商型号: UA-IPP65R125C7XKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1概述


    产品简介


    IPP65R125C7:650V CoolMOS™ C7 功率晶体管
    IPP65R125C7 是一款由 Infineon Technologies 研发的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于CoolMOS™ C7系列。CoolMOS™ 技术是一种专为高电压功率 MOSFET 设计的革命性技术,它基于超级结(SJ)原理。IPP65R125C7 主要用于功率因数校正(PFC)阶段和硬开关脉宽调制(PWM)阶段,在诸如计算、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等应用中表现优异。

    技术参数


    关键性能参数:
    - 最大漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\):700V
    - 最大漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):125mΩ
    - 典型栅源电荷 \(Qg\):35nC
    - 单脉冲最大栅极脉冲电流 \(I{D,pulse}\):75A
    - 在 400V 下的反向恢复能量 \(E{oss}\):4.2μJ
    - 体二极管的 \(di/dt\):55A/μs
    最大额定值:
    - 连续漏极电流 \(ID\):12A
    - 脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\):75A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):89mJ
    - 复位雪崩能量 \(E{AR}\):0.44mJ
    - 雪崩电流 \(IA\):7.1A
    - 门极至源极绝缘电压 \(V{ISO}\):不适用(无具体数值)
    热学特性:
    - 结到壳体热阻 \(R{thJC}\):1.24°C/W
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\)(引脚式):62°C/W
    - 焊接温度:260°C(焊锡温度)

    产品特点和优势


    IPP65R125C7 具有多项独特的技术优势,具体如下:
    - 增强的耐压能力:能够处理高达 700V 的漏源击穿电压,保证了在高压环境下的可靠性。
    - 高效的能源管理:由于其低漏源导通电阻和优秀的 FOM(RDS(on) Eoss 和 RDS(on) Qg),有助于提高系统的效率。
    - 易于使用和驱动:其门极电荷量小且热阻低,便于快速集成和驱动。
    - 环境友好:采用无铅镀层和无卤素模塑料,符合工业级标准(J-STD020 和 JESD22)。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    IPP65R125C7 广泛应用于各类高压功率电路,特别是在计算机、服务器、电信设备、不间断电源系统以及太阳能逆变器等领域。
    使用建议:
    - 对于并联多个 MOSFET 时,建议使用铁氧体磁珠或者单独的顶端电路。
    - 在设计应用电路时,确保充分考虑散热问题以维持设备的工作温度在合理范围内。

    兼容性和支持


    IPP65R125C7 支持与多种系统和设备的兼容,包括计算设备、通信系统和电源管理装置等。Infineon Technologies 为该产品提供了详尽的技术文档和设计工具,例如在线仿真模型和设计指南,以帮助用户更好地理解和利用此产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高导致过热 | 降低工作频率,增加外部散热片以改善散热条件。 |
    | 栅极电荷过高导致振铃现象 | 适当调整栅极电阻以优化驱动信号,减少振铃。 |
    | MOSFET 发生雪崩现象 | 避免操作点超过最大额定值,适当加入箝位电路保护。 |

    总结和推荐


    总体而言,IPP65R125C7 凭借其高性能和高可靠性,适用于需要高电压、高效能的应用场合。其独特的耐压能力和易于驱动的特点使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高可靠性的高压电力转换应用,我们强烈推荐 IPP65R125C7 作为理想选择。

IPP65R125C7XKSA1参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 8.9A,10V
最大功率耗散 101W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.67nF@400V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 440µA
栅极电荷 35nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP65R125C7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP65R125C7XKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1数据手册

IPP65R125C7XKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.05 ¥ 17.179
82+ $ 2.0375 ¥ 17.0743
249+ $ 2.0125 ¥ 16.8648
649+ $ 1.9125 ¥ 16.0268
库存: 419
起订量: 62 增量: 50
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 17.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0