处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPD50R系列, Vds=600 V, 13 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPD60R180C7ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1概述

    IPD60R180C7 600V CoolMOS™ C7 Power Device 技术手册

    产品简介


    IPD60R180C7 是一款基于 CoolMOS™ C7 技术的功率 MOSFET,具有 600V 的额定电压。CoolMOS™ C7 技术是由英飞凌科技公司开发的一种超结(Super Junction)高压功率 MOSFET 技术,以提高能效和减少开关损耗。该产品适用于硬开关和软开关应用,如功率因数校正(PFC)和高性能 LLC 谐振拓扑。

    技术参数


    - 电压相关参数:最大漏源击穿电压 \(V{BR}(DSS)\) 为 650V。
    - 电流相关参数:连续漏极电流 \(ID\) 为 22A,脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\) 为 45A。
    - 电阻相关参数:最大导通电阻 \(R{DS(on)}\) 为 180mΩ。
    - 电容相关参数:输入电容 \(C{iss}\) 为 1080pF,输出电容 \(C{oss}\) 为 18pF。
    - 热特性:结至壳热阻 \(R{thJC}\) 为 1.832°C/W,结至环境热阻 \(R{thJA}\) 为 62°C/W。

    产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻 \(R{DS(on)}\) 和优秀的品质因子 \(R{DS(on)} \times E{oss}\),使该器件具备优异的效率表现。
    - 高可靠性:耐受 \(120V/ns\) 的 dv/dt 瞬态电压,适用于硬开关和软开关应用。
    - 小封装:较高的功率密度解决方案,适合紧凑型设计。
    - 多功能应用:适用于服务器、电信、太阳能等领域,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于服务器电源、电信设备及太阳能逆变器的 PFC 阶段和 PWM 阶段。
    - 使用建议:对于并联 MOSFET,建议在栅极使用铁氧体磁珠或分开的门极驱动电路,以防止电流不平衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO252-3 封装兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持服务:提供详细的仿真模型和设计工具,详见附录 A。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理 MOSFET 并联时的电流不均衡?
    - A: 在栅极加入铁氧体磁珠或使用分开的门极驱动电路。
    - Q:在高温环境下工作时,器件性能如何?
    - A: 最大结温可达 150°C,可在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

    总结和推荐


    IPD60R180C7 是一款专为高效率、高可靠性应用而设计的功率 MOSFET。它具有出色的性能参数和广泛的应用范围,特别适合于需要高性能和紧凑设计的场合。强烈推荐使用该器件以提升系统的整体效率和稳定性。

IPD60R180C7ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 5.3A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 68W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 260µA
栅极电荷 24nC@ 10 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 13A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@400V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD60R180C7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R180C7ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1数据手册

IPD60R180C7ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 20.1925
625+ ¥ 19.9912
1250+ ¥ 18.9955
2500+ ¥ 8.6688
12500+ ¥ 8.4954
库存: 4940
起订量: 25 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 100.96
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336