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IPG20N06S2L50AATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 51W 20V 2V@ 19µA 17nC@ 10V 2个N沟道 55V 50mΩ@ 15A,10V 20A 560pF@25V SON 贴片安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
供应商型号: CY-IPG20N06S2L50AATMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L50AATMA1

IPG20N06S2L50AATMA1概述

    IPG20N06S2L-50A OptiMOS® Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPG20N06S2L-50A 是一款由 Infineon Technologies 生产的高性能双通道 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。它广泛应用于汽车、工业控制、电源转换等领域,具有出色的热性能和电气特性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    | : | : | : | : | : | : | : |
    | 连续漏极电流(单通道) | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | - | 20 | - |
    | 脉冲漏极电流(单通道) | ID,pulse | - | A | - | 80 | - |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | - | 55 | - |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=19μA | V | 1.2 | 1.6 | 2.0 |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS=55V, VGS=0V, Tj=25°C | μA | - | 0.01 | 1 |
    | 栅源漏电电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | nA | - | 1 | 100 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=10A | mΩ | - | 50 | 60 |
    | 输入电容 | Ciss | - | pF | - | 430 | 560 |
    | 输出电容 | Coss | - | pF | - | 120 | 160 |
    | 反向传输电容 | Crss | - | pF | - | 45 | 68 |

    3. 产品特点和优势


    IPG20N06S2L-50A 的主要特点如下:
    - 双通道设计:适合需要两个独立通道的应用场景。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车应用,保证高可靠性。
    - MSL1 到达峰值回流温度 260°C:增强了电路板组装时的耐热性。
    - 最高工作温度 175°C:适用于高温环境。
    - 无铅环保:符合 RoHS 标准。
    - 100% 雪崩测试:确保在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    IPG20N06S2L-50A 主要应用于:
    - 汽车电子:如动力系统、安全系统等。
    - 工业控制:电机驱动、逆变器等。
    - 电源转换:DC-DC 转换器、开关电源等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑到其工作温度范围,选择合适的散热措施。
    - 为了减少噪声,应尽可能减小引线电感。
    - 在实际应用中,可以利用其高可靠性和低导通电阻的特点,提高系统效率和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持自动光学检测(AOI),可方便地集成到自动化生产线上。
    - 支持和维护:用户可通过 Infineon Technologies 官网获取详细的技术文档和支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 散热不良导致过热 | 使用散热片或散热器加强散热,或调整电路布局以改善空气流动。 |
    | 稳定性不佳 | 检查电源供应是否稳定,确保接地良好。 |
    | 开关损耗高 | 优化驱动信号,使用合适的栅极电阻降低开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPG20N06S2L-50A 具备卓越的性能和可靠性,适用于多种高要求应用场景。特别是其高工作温度和强大的电气特性使其在严苛环境下表现优异。强烈推荐在关键系统中使用此产品。

IPG20N06S2L50AATMA1参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
配置
通道数量 2
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 55V
最大功率耗散 51W
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 15A,10V
栅极电荷 17nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 560pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 19µA
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPG20N06S2L50AATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S2L50AATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N06S2L50AATMA1 IPG20N06S2L50AATMA1数据手册

IPG20N06S2L50AATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4063 ¥ 3.4964
300+ $ 0.4026 ¥ 3.4649
500+ $ 0.3989 ¥ 3.4334
1000+ $ 0.3877 ¥ 3.2759
5000+ $ 0.3877 ¥ 3.2759
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