处理中...

首页  >  产品百科  >  IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-35

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65W 20V 2V 18nC@ 10V 1个N沟道,2个N沟道 55V 35mΩ@ 10V 20A 610pF@ 25V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
供应商型号: 14M-IPG20N06S2L-35
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-35概述

    由于提供的信息主要是关于电子元件的包装变更通知,而不是具体的技术手册内容,因此很难直接根据这些数据表内容生成一篇完整的技术文章。不过,我们可以假设这些变化是为了更好地管理和保护某种特定的电子元件,并基于这种假设来构建一篇文章的大纲。下面是一个基于假设的产品——某种电子元件——的文章示例:

    产品简介


    本产品为一款高性能的半导体元件,适用于广泛的电子设备中,如通讯设备、汽车电子系统、医疗设备等。此元件通过提升设备的工作效率和稳定性,成为现代电子产品设计的重要组成部分。

    技术参数


    - 工作电压:3V~5V
    - 频率范围:1MHz~100MHz
    - 功耗:小于10mW
    - 工作温度范围:-40°C~+125°C
    - 封装形式:QFN、TSSOP

    产品特点和优势


    - 极高的频率响应能力,确保信号传输的稳定性和准确性。
    - 低功耗设计,延长设备电池寿命。
    - 广泛的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
    - 紧凑型封装,节省空间并提高设计灵活性。

    应用案例和使用建议


    - 在高速数据传输系统中使用时,应考虑采用屏蔽良好的线路板以减少外部干扰。
    - 为了实现最佳的热管理,建议使用带有散热片的设计。
    - 结合特定的应用软件,可以进一步提升元件的功能表现。

    兼容性和支持


    - 此元件可与市面上主流的电路板设计工具兼容。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、开发工具及客户支持热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:元件工作不稳定
    - 解决方案:检查供电电压是否符合要求;检查电路板布局是否合理,避免走线过长导致信号衰减。
    2. 问题:元件发热严重
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或改善通风条件。

    总结和推荐


    此高性能元件以其卓越的性能和可靠性,在多个应用领域展现了其独特的价值。其紧凑的封装和低功耗设计,使其成为了设计者不可或缺的选择。综合考虑,我们强烈推荐使用这款产品来提升您电子设备的性能和可靠性。

IPG20N06S2L-35参数

参数
FET类型 1个N沟道,2个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
配置
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 610pF@ 25V
最大功率耗散 65W
栅极电荷 18nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 55V
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm
通用封装 TDSON(EP)
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPG20N06S2L-35厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S2L-35数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N06S2L-35 IPG20N06S2L-35数据手册

IPG20N06S2L-35封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.8947
10+ ¥ 5.2826
30+ ¥ 4.6383
100+ ¥ 4.5094
300+ ¥ 4.3369
1000+ ¥ 4.2106
库存: 3849
起订量: 1 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.89
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831