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IRLHM630TR2PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 37W 12V 1.1V@ 50µA 62nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 3.5mΩ@ 20A,4.5V 40A 3.17nF@25V PQFN-8 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.05mm
供应商型号: 1865593
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLHM630TR2PBF

IRLHM630TR2PBF概述

    HEXFET® Power MOSFET IRLHM630PbF 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管,主要用于直流电机逆变器、二次侧同步整流等领域。其独特的设计使得它在电池供电设备、电力转换和驱动系统中具有广泛的应用。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±12V
    - 连续漏极电流 \(ID\):
    - 在 \(TA = 25°C\) 下: 21A
    - 在 \(TC = 25°C\) 下: 40A
    - 在 \(TC = 100°C\) 下: 40A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 160A
    - 最大功耗 \(PD\):
    - 在 \(TA = 25°C\) 下: 2.7W
    - 在 \(TC = 25°C\) 下: 37W
    - 线性降额因子: 0.022W/°C
    - 工作结温 \(TJ\): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围 \(T{STG}\): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻 \(R{\theta JC(b)}\): 3.4°C/W
    - 结到外壳热阻 \(R{\theta JC(t)}\): 37°C/W
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\): 46°C/W
    - 结到环境热阻(<10s)\(R{\theta JA}\): 31°C/W
    - 雪崩特性
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 80mJ
    - 雪崩电流 \(I{AR}\): 20A

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:\(R{DS(on)} < 3.5m\Omega\),显著降低了导通损耗。
    - 低热阻:\(R{\theta JC} < 3.4°C/W\),提高了热消散效率。
    - 低轮廓设计:<1.0mm 的厚度增加了功率密度。
    - 行业标准引脚布局:提供多供应商兼容性。
    - 符合 RoHS 标准:不含铅、溴化物及卤素,环保友好。
    - 高可靠性:获得工业认证(MSL1),提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 电池驱动直流电机逆变器 MOSFET:适用于需要高可靠性的便携式设备。
    - 二次侧同步整流:应用于高效能的电源转换电路中。
    建议在高温环境下使用时注意散热措施,如增加散热片或风扇,以确保最佳性能和延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品采用标准的表面贴装技术,与其他电子元件兼容良好。制造商提供了详尽的应用指南和技术支持,包括焊盘布局和锡膏模板推荐。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作时,功耗超出限制。
    - 解决方案:采用有效的散热措施,如添加散热片或风扇,以降低结温。
    - 问题:漏源电压超过最大值。
    - 解决方案:确保输入电压不超过 30V,并合理选择负载以避免过载。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET IRLHM630PbF 是一款高性能的功率 MOSFET,具有优秀的导通特性和良好的热管理能力。其广泛的适用性和可靠的性能使其成为许多应用的理想选择。建议在需要高可靠性和低功耗的应用中使用。

IRLHM630TR2PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 40A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 20A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 50µA
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.17nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 62nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 37W
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.05mm
通用封装 PQFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产

IRLHM630TR2PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLHM630TR2PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLHM630TR2PBF IRLHM630TR2PBF数据手册

IRLHM630TR2PBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.6705 ¥ 13.9822
10+ $ 1.3821 ¥ 11.5678
100+ $ 1.1218 ¥ 9.3894
500+ $ 0.9551 ¥ 7.9944
1000+ $ 0.8026 ¥ 6.7175
5000+ $ 0.7538 ¥ 6.3097
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