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IRFS3207ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 150µA 170nC@ 10 V 1个N沟道 75V 4.1mΩ@ 75A,10V 120A 6.92nF@50V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: ET-1436974
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFS3207ZPBF

IRFS3207ZPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电源、不间断电源(UPS)等领域。这类器件通过提供低导通电阻和高效率,显著提升了电子系统的整体性能。

    技术参数


    以下是 HEXFET® Power MOSFET 的关键技术参数:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):75V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为3.3mΩ,最大值为4.1mΩ
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 25°C时(硅限):170A
    - 100°C时(硅限):120A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为300A
    - 最大功耗 (PD):2.0W
    - 热阻 (RθJC):典型值为0.1049°C/W
    - 栅极至源极电压 (VGS):最大值为±20V
    - 反向恢复峰值电压 (dv/dt):最大值为10V/ns
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (TSTG):-60°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 拥有多项独特的功能和技术优势,具体如下:
    - 改进的门极、雪崩和动态dv/dt 耐压性:增强系统在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 完全特性化的电容和雪崩安全工作区 (SOA):确保在各种操作条件下保持良好的性能和耐用性。
    - 加强的体二极管dv/dt 和di/dt 能力:提高了对瞬态电压变化的响应速度和抗扰能力。
    - 无铅,符合RoHS标准且无卤素:更加环保,适合现代电子设备的制造需求。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在以下领域得到了广泛应用:
    - 高效同步整流:适用于SMPS(开关模式电源供应器)
    - 不间断电源 (UPS):为关键应用提供持续电力支持
    - 高速功率开关:提高系统的工作频率和响应速度
    - 硬开关和高频电路:适用于需要高速开关的高频应用
    使用建议:
    1. 安装注意事项:为了减少杂散电感的影响,建议采用低杂散电感的设计和接地平面。
    2. 驱动器选择:选择与D.U.T.(被测器件)相同类型的驱动器。
    3. 测试电路:使用图22a中的开关时间测试电路来优化性能。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 可以与多种标准组件兼容,便于集成到现有设计中。国际整流器公司(International Rectifier)提供了详尽的应用指南和在线支持,确保用户能够顺利使用和维护这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问:工作温度范围是什么?
    - 答:HEXFET® Power MOSFET 的工作温度范围为-55°C 至 +175°C,满足大部分工业应用的需求。
    - 问:是否支持RoHS标准?
    - 答:是的,HEXFET® Power MOSFET 符合RoHS标准且无卤素,符合绿色环保要求。

    总结和推荐


    总体来看,HEXFET® Power MOSFET 是一款非常适合于高效率和高可靠性应用的功率器件。其优越的性能、耐用性及广泛的适用性使其成为众多电子设备的理想选择。鉴于其卓越的表现和广泛的应用范围,强烈推荐使用该产品。
    请注意,本文档仅供参考,详细的技术规范和使用方法请参考技术手册和供应商提供的官方文档。

IRFS3207ZPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
通道数量 1
栅极电荷 170nC@ 10 V
配置 独立式双drain
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.92nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 75V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 75A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFS3207ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFS3207ZPBF数据手册

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IRFS3207ZPBF封装设计

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