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IPB100N08S2L07ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS系列, Vds=75 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IPB100N08S2L07ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1概述

    # OptiMOS® IPB100N08S2L-07 和 IPP100N08S2L-07 技术手册

    产品简介


    OptiMOS® IPB100N08S2L-07 和 IPP100N08S2L-07 是由Infineon Technologies AG生产的一系列高性能N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这些晶体管主要用于高效率的应用场合,如电源转换、电机驱动和各种工业控制系统。它们具备低导通电阻(Rds(on))和宽广的工作温度范围,使其成为众多电子设备的理想选择。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大连续漏极电流 (ID):25°C 下为 100A;100°C 下为 98A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):25°C 下为 400A。
    - 雪崩能量 (EAS):在 ID = 80A 下为 810mJ。
    - 栅源电压 (VGS):±20V。
    - 总功耗 (Ptot):25°C 下为 300W。
    - 工作和存储温度 (Tj, Tstg):-55°C 到 +175°C。
    静态电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):75V(VGS = 0V, ID = 1mA)。
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):在 VDS = VGS, ID = 250μA 下为 1.2V 至 2.0V。
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):在 VDS = 75V, VGS = 0V, TJ = 25°C 下为 0.01μA 至 1μA。
    - 栅源漏电流 (IGSS):在 VGS = 20V, VDS = 0V 下为 1nA 至 100nA。
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V, ID = 80A 下为 4.7mΩ 至 6.5mΩ。
    动态电气特性
    - 输入电容 (CISS):5400pF。
    - 输出电容 (COSS):1300pF。
    - 反向传输电容 (CRSS):590pF。
    - 开启延迟时间 (td(on)):19ns。
    - 上升时间 (tr):56ns。

    产品特点和优势


    OptiMOS® IPB100N08S2L-07 和 IPP100N08S2L-07 具有多个独特的优势,包括:
    - 低导通电阻 (Rds(on)):这是关键特性,可以显著降低损耗并提高整体系统效率。
    - 汽车级认证 (Automotive AEC Q101 qualified):保证了在严苛环境下工作的可靠性。
    - 峰值回流耐温性 (MSL1 up to 260°C peak reflow):适合高回流温度的应用需求。
    - 宽工作温度范围 (175°C):适用于极端环境条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:用于高压直流到直流转换器和交流到直流转换器。
    - 电机驱动:应用于电动汽车和其他需要高效驱动系统的场合。
    - 工业控制:可用于各种工业自动化控制系统中。
    使用建议
    - 在使用时确保散热措施到位,以防止高温对晶体管造成损害。
    - 在进行电路设计时考虑输入和输出电容的影响,以优化动态性能。
    - 为了获得最佳性能,建议参考应用指南中的详细说明,特别是在高温环境下使用时。

    兼容性和支持


    OptiMOS® IPB100N08S2L-07 和 IPP100N08S2L-07 采用标准封装(TO263-3-2 和 TO220-3-1),易于与其他标准电子元件兼容。Infineon Technologies AG 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计工具和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品无法正常启动。
    - 解决方案:检查 VGS 电压是否正确,确保符合产品的电气特性要求。
    - 问题:工作时过热。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或采用主动冷却方式,确保芯片温度不超过最高限制。
    - 问题:电路性能不佳。
    - 解决方案:参考数据表中的动态电气特性参数,优化电路设计,减少杂散电感和电容的影响。

    总结和推荐


    OptiMOS® IPB100N08S2L-07 和 IPP100N08S2L-07 是高度可靠且高效的功率场效应晶体管,具有诸多独特的优势,适用于多种高要求应用场合。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子设备的设计者和制造商。在选购和使用时,请务必遵循厂家提供的指导和建议,以确保最佳性能和长期稳定运行。

IPB100N08S2L07ATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 6.5mΩ@ 80A,10V
栅极电荷 246nC@ 10 V
最大功率耗散 300W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

IPB100N08S2L07ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB100N08S2L07ATMA1数据手册

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IPB100N08S2L07ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 36.6956
250+ ¥ 35.5948
500+ ¥ 34.5276
1000+ ¥ 27.4026
2000+ ¥ 26.5803
4000+ ¥ 25.7827
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