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IPB80P04P4L-04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W 16V 135nC@ 10V 1个P沟道 40V 4.4mΩ@ 10V 80A 8.9nF@ 25V TO-263 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: Q-IPB80P04P4L-04
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80P04P4L-04

IPB80P04P4L-04概述


    产品简介


    IPB80P04P4L-04, IPI80P04P4L-04, IPP80P04P4L-04
    这些产品属于Infineon Technologies的OptiMOS®-P2系列功率晶体管。该系列主要用于电源管理和电机控制等领域,提供高效率和高可靠性的解决方案。OptiMOS®-P2晶体管是P沟道逻辑电平增强型器件,特别适用于需要高电流驱动的应用场景。

    技术参数


    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C时为-80A
    - TC=100°C时为-80A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):
    - TC=25°C时为-320A
    - 雪崩能量 (EAS):
    - ID=-40A时为60mJ
    - 雪崩电流 (IAS):
    - 无特定条件时为-80A
    - 栅源电压 (VGS):
    - +5/-16V
    - 功耗 (Ptot):
    - TC=25°C时为125W
    - 工作温度范围 (Tj, Tstg):
    - -55°C 至 +175°C
    - 封装类型:
    - IPB80P04P4L-04: PG-TO263-3-2
    - IPI80P04P4L-04: PG-TO262-3-1
    - IPP80P04P4L-04: PG-TO220-3-1

    产品特点和优势


    1. P沟道逻辑电平增强型器件:提供低导通电阻,提高整体能效。
    2. 汽车级认证 (AEC):符合严格的汽车电子标准,适用于严苛环境。
    3. 环保材料 (RoHS):采用无铅材料,符合环保要求。
    4. 高温适用:可承受高达260°C的回流焊峰值温度,适合高温焊接工艺。
    5. 可靠性高:100%通过雪崩测试,确保在极端条件下的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:用于直流/直流转换器,提升转换效率。
    - 电机控制:适用于各种工业电机控制系统,提供精确的电流控制。
    - 电池管理系统:作为开关器件,确保高效可靠的电池管理。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意温度的影响,特别是对于高电流应用,确保散热设计良好。
    - 使用大容量的电容,以降低电压波动对系统稳定性的影响。
    - 考虑到较高的栅源电压(+5/-16V),确保驱动电路能够满足这些要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的印刷电路板(PCB)兼容,如FR4材料。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够在应用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 产品在高温环境下能否正常工作?
    答: 该产品可在-55°C至+175°C的温度范围内工作,确保在极端条件下仍能保持高性能。
    2. 问: 如何防止因过载导致的损坏?
    答: 确保电路设计中有适当的过流保护措施,例如熔断器或保险丝,以避免过载导致的损坏。
    3. 问: 产品是否有防水设计?
    答: 该产品没有专门的防水设计,但在合适的环境条件下可以使用。如果需要防水,则需要额外的防水措施。

    总结和推荐



    总结

    :
    - IPB80P04P4L-04、IPI80P04P4L-04 和 IPP80P04P4L-04 是高可靠性的P沟道逻辑电平增强型晶体管,具有优异的热性能和可靠性。
    - 这些产品特别适合于高电流、高温和高可靠性的应用场景,广泛应用于电源管理和电机控制等领域。
    推荐:
    - 推荐用于需要高性能和高可靠性的电源管理及电机控制应用。由于其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,这些产品是业界的理想选择。

IPB80P04P4L-04参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 4.4mΩ@ 10V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 125W
栅极电荷 135nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.9nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB80P04P4L-04厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80P04P4L-04数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80P04P4L-04 IPB80P04P4L-04数据手册

IPB80P04P4L-04封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 2.4 ¥ 19.992
30000+ $ 2.16 ¥ 17.9928
50000+ $ 1.92 ¥ 15.9936
100000+ $ 1.8 ¥ 14.994
库存: 10000
起订量: 10000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10000
合计: ¥ 199920
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