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IRF6712STRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=25 V, 68 A, direct场 等轴测封装, 表面贴装
供应商型号: IRF6712STRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6712STRPBF

IRF6712STRPBF概述


    产品简介


    IRF6712SPbF Power MOSFET
    IRF6712SPbF 是一种结合了最新 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术与先进 DirectFET™ 封装技术的新型电源管理组件。它在拥有类似 MICRO-8 封装尺寸的前提下,实现了极低的导通电阻(Rds(on)),并且仅 0.7mm 的厚度使其特别适合用于高密度电路设计。
    这款 MOSFET 主要应用于高效率的直流-直流转换器,尤其是为新一代处理器提供电源,这些处理器通常运行在高频条件下。此外,IRF6712SPbF 还适用于同步降压转换器中,具有优化的开关频率和低导通及开关损耗。

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 导通电阻(Rds(on)) | mΩ | 3.8 | 4.9 | 6.7 |
    | 静态门电容(Qg) | nC | - | 12 | - |
    | 开启延迟时间(td(on)) | ns | - | 11 | - |
    | 关闭延迟时间(td(off))| ns | - | 14 | - |
    | 额定连续漏极电流(ID) | A | - | 17 | - |
    | 绝对最大额定电压(VDS)| V | - | 25 | - |
    | 最大功率耗散(PD) | W | - | 36 | - |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:确保高效的能量转换,降低功率损耗。
    - 优化的高频率开关性能:适合高频率工作环境,如新一代处理器所需的电源转换。
    - 双面散热设计:通过减少热阻来提高整体系统可靠性,使热性能提高 80%。
    - 兼容现有表面贴装工艺:无需改变现有的制造流程,便于集成到现有的生产线上。

    应用案例和使用建议


    IRF6712SPbF MOSFET 适用于需要高效、高频率直流-直流转换的应用场合,例如服务器、电信设备和消费电子产品中的电源管理模块。为了充分利用其性能,建议:
    - 使用较大的散热片以提升散热效果。
    - 在选择驱动电路时,考虑门电容(Qg)和总栅极电荷(Qgd),以确保快速和稳定的开关操作。
    - 配备合适的栅极电阻,避免振铃现象,保证稳定可靠的运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF6712SPbF MOSFET 与标准的表面贴装技术和设备完全兼容,且已获得 RoHS 和无卤认证。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档、参考设计和支持服务,帮助用户更好地了解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何正确安装 DirectFET 封装?
    - 答:参照应用笔记 AN-1035,遵循推荐的焊盘和基板设计方法。
    - 问:遇到热管理问题怎么办?
    - 答:通过优化散热设计和增加散热片,可以有效解决热管理问题。
    - 问:如何测试 MOSFET 的性能?
    - 答:使用制造商提供的测试电路和波形,确保符合规格要求。

    总结和推荐


    IRF6712SPbF MOSFET 结合了高效、低损耗和高频率的优势,适用于现代电源管理系统的严苛要求。其优越的散热能力和高频率开关性能,使其成为众多应用领域的理想选择。因此,我强烈推荐此产品给需要高性能电源管理解决方案的设计工程师和制造商。
    希望以上内容能为您提供有价值的信息,如有进一步问题,欢迎随时联系。

IRF6712STRPBF参数

参数
最大功率耗散 2.2W(Ta),36W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 17A,68A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 50µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.9mΩ@ 17A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.57nF@13V
栅极电荷 18nC@ 4.5 V
长*宽*高 4.85mm*3.95mm*700μm
通用封装 MG-WDSON-4
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

IRF6712STRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6712STRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF数据手册

IRF6712STRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
75+ ¥ 4.6023
76+ ¥ 4.4422
77+ ¥ 4.3622
79+ ¥ 4.3222
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