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IRF4905PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 74 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRF4905PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF4905PBF

IRF4905PBF概述

    IRF4905PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF4905PbF 是一款由 International Rectifier 生产的 P-通道 HEXFET® 功率 MOSFET。它主要用于各种高功率应用中,如电源转换、电机驱动和照明系统。这款 MOSFET 采用了先进的工艺技术,具有低导通电阻和快速开关速度,使其在设计中表现出极高的效率和可靠性。

    技术参数


    以下是 IRF49005PbF 的关键技术参数:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 持续漏极电流(@ TC = 25°C) | -74 | A |
    | 持续漏极电流(@ TC = 100°C)| -52 | A |
    | 脉冲漏极电流 | -260 | A |
    | 功耗(@ TC = 25°C) | 200 | W |
    | 热阻(结至外壳) | 0.75 | °C/W |
    | 热阻(外壳至散热器) | 0.50 | °C/W |
    | 热阻(结至环境) | 62 | °C/W |
    | 击穿电压 | -55 | V |
    | 静态导通电阻(@ VGS = -10V, ID = -38A) | 0.02 | Ω |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | -5.0 | V/ns |

    产品特点和优势


    IRF4905PbF 的主要特点包括:
    - 先进的工艺技术:确保超低的导通电阻和高效的热管理。
    - 超低的导通电阻:使得器件在高频开关应用中表现优异。
    - 动态 dV/dt 评级:适合高速开关应用。
    - 高达 175°C 的工作温度:适用于高温环境。
    - 快速开关:有助于减少开关损耗。
    - 全雪崩等级:保证在极端条件下稳定运行。
    - 无铅:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    IRF4905PbF 广泛应用于高功率转换电路中。例如,在电源转换器中,它能够有效地减少损耗并提高整体能效。在使用时,应注意以下几点:
    - 散热设计:确保 MOSFET 散热良好,避免过热。
    - 布局设计:尽量减小引线电感,使用接地平面以降低电磁干扰。
    - 测试条件:确保测试电路符合规格书中的要求,特别是瞬态热阻抗测试。

    兼容性和支持


    IRF4905PbF 采用 TO-220AB 封装,可以方便地安装在标准散热器上。此外,该产品还与其他常见的电子元器件和设备兼容。International Rectifier 提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或改进风冷/液冷系统。
    - 问题:切换过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案:优化门极驱动电路,确保 dV/dt 在允许范围内。
    - 问题:击穿电压不足。
    - 解决方案:重新校准测试条件,确保符合产品规格。

    总结和推荐


    IRF4905PbF 是一款性能优异的 P-通道 HEXFET® 功率 MOSFET,特别适合需要高效能和高可靠性的高功率应用。其先进的工艺技术和全面的保护措施使其在市场上具有很强的竞争力。综合考虑其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 IRF4905PbF 进行设计和开发。

IRF4905PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 38A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 200W(Tc)
栅极电荷 180nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 74A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.4nF@25V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRF4905PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF4905PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905PBF IRF4905PBF数据手册

IRF4905PBF封装设计

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10+ ¥ 3.5055
50+ ¥ 3.0889
100+ ¥ 2.7753
500+ ¥ 2.6588
1000+ ¥ 2.5797
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