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BSL606SN H6327

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1个N沟道 60V 60mΩ@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 贴片安装,黏合安装 3mm*1.5mm*1.1mm
供应商型号: Q-BSL606SN H6327
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSL606SN H6327

BSL606SN H6327概述

    BSL606SN OptiMOS™-3 小信号晶体管技术手册解析

    1. 产品简介


    BSL606SN 是一款基于 OptiMOS™-3 技术的小信号 N 沟道增强型场效应晶体管(N-channel enhancement mode),专为逻辑电平设计,额定电压为 4.5V,适用于高可靠性应用。它具有雪崩耐受能力,并通过了 AEC-Q101 认证,确保其在汽车及工业应用中的稳定性和耐用性。产品完全无卤化,符合 RoHS 标准,是环保型电子元器件的优选。
    主要特点包括:
    - 额定电流:4.5A
    - 极限雪崩能量:14mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 封装形式:PG-TSOP-6
    该产品广泛应用于汽车电子、工业控制、消费类电子产品等领域,例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和电池管理模块。

    2. 技术参数


    以下是 BSL606SN 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极连续电流 | ID | TA=25°C | A 4.5 | 3.6 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TA=25°C | A 18.1
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=250µA | V 60
    | 开启电阻(4.5V 驱动)| RDS(on) | VGS=4.5V, ID=3.6A | mΩ 95
    | 输入电容 | Ciss pF 494 | 657 |
    | 输出电容 | Coss pF 131 | 174 |
    | 反向传输电容 | Crss pF 10.2 | 15.3 |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg °C | -55 150 |

    3. 产品特点和优势


    BSL606SN 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 高可靠性和鲁棒性:AEC-Q101 认证保证了其在恶劣环境下的稳定运行。
    2. 低导通电阻:典型值为 95mΩ(4.5V 驱动下),适合高效能应用。
    3. 卓越的热性能:能够在高温环境下保持良好的工作表现。
    4. 环保合规:完全无卤化,符合 RoHS 和 REACH 标准。
    5. 快速开关特性:动态参数如反向恢复时间仅为 21ns,适合高频开关电路。
    这些特点使 BSL606SN 成为高效、小型化电源管理和驱动电路的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 作为 DC-DC 转换器中的开关元件。
    - 在电动汽车电池管理系统中用作保护开关。
    - 高频逆变器中的功率级开关器件。
    使用建议:
    - 确保驱动电压在 4.5V 或更高,以充分利用其逻辑电平特性。
    - 采用适当的散热措施,尤其是在高电流工作条件下。
    - 结合电路板设计优化铜箔布局,提高散热效率。

    5. 兼容性和支持


    BSL606SN 支持标准的 SMD 封装(PG-TSOP-6),与现有 PCB 布局高度兼容。此外,Infineon 提供详尽的技术支持文档和售后服务,确保用户能够顺利集成到各种系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确保驱动电压达到 4.5V 或更高。 |
    | 工作温度超出范围 | 降低功耗,增加散热措施。 |
    | 开关过程中出现异常发热 | 检查驱动波形,避免过大的 dv/dt 值。 |

    7. 总结和推荐


    BSL606SN 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道场效应晶体管,特别适合需要紧凑设计和高效能的现代电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和出色的雪崩耐受能力使其在市场上极具竞争力。强烈推荐用于汽车电子和工业控制领域,特别是对温度要求较高的场合。
    总结来说,BSL606SN 是一款值得信赖的产品,无论是从性能还是成本角度来看,都具备显著优势。如果您正在寻找一款兼具效率与环保特性的电子元器件,BSL606SN 绝对是您的理想选择。

BSL606SN H6327参数

参数
最大功率耗散 2KW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 566pF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 4.1nC@ 5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V
配置 独立式quaddraintriplesource
Id-连续漏极电流 170mA
通道数量 1
长*宽*高 3mm*1.5mm*1.1mm
通用封装 TSOP-6-6
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

BSL606SN H6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSL606SN H6327数据手册

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BSL606SN H6327封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.6632
6000+ ¥ 1.6016
9000+ ¥ 1.54
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