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IPB180N04S4L-01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: Q-IPB180N04S4L-01
供应商: 期货订购
标准整包数: 7000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB180N04S4L-01

IPB180N04S4L-01概述


    产品简介


    IPB180N04S4L-01 OptiMOSTM-T2 Power Transistor
    IPB180N04S4L-01 是一款由Infineon Technologies公司生产的N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有卓越的热性能、高可靠性和环保特性,适用于多种工业应用,特别是在需要高电流、高温环境下的场合。

    技术参数


    - 连续漏极电流(ID):25°C下为180A,100°C下为180A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):25°C下为720A
    - 雪崩能量(EAS):单脉冲为550mJ
    - 雪崩电流(IAS):180A
    - 栅源电压(VGS):+20/-16V
    - 总功率耗散(Ptot):25°C下为188W
    - 工作温度范围(Tj, Tstg):-55°C至+175°C
    - 最大漏源击穿电压(V(BR)DSS):40V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):25°C时为0.06μA
    - 导通电阻(RDS(on)):在4.5V VGS、50A ID时为1.3mΩ,在10V VGS、100A ID时为1.0mΩ
    - 输入电容(Ciss):14700pF 至 19100pF
    - 输出电容(Coss):2400pF 至 3120pF
    - 反向传输电容(Crss):120pF 至 280pF
    - 典型门电荷(Qg):188nC 至 245nC

    产品特点和优势


    IPB180N04S4L-01 的特点包括:
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车电子和其他严苛环境的应用。
    - 低导通电阻(RDS(on)):降低功耗,提高效率。
    - 高雪崩能量耐受性:增强抗瞬态电压冲击能力。
    - MSL1 级别:最高可达260°C的峰值回流焊温,方便自动化生产。
    - 绿色环保:符合RoHS标准。
    这些特点使其成为电力转换、电机驱动和电源管理等领域的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电动车辆(EV)充电站的直流转换器
    - 高频逆变器和转换器中的开关器件
    - 工业设备如电机控制器和变频器
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,确保散热设计合理,避免过热。
    - 在高频率应用中,需考虑寄生电容的影响,优化电路布局。
    - 使用高可靠性测试和验证流程,确保产品质量和一致性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与多种控制电路板兼容,适合不同类型的驱动电路。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏极电流导致温度过高 | 优化散热设计,增加外部散热片或散热风扇。 |
    | 开关损耗过大 | 调整驱动电路,降低开关频率,使用更佳的门极驱动器。 |
    | 功率耗散不足 | 确认散热路径设计合理,检查是否安装有适当的散热器。 |

    总结和推荐


    IPB180N04S4L-01 是一款性能优异、可靠性强的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET。其出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,使其在电力转换、电机驱动等众多工业应用中表现出色。对于需要高性能和高可靠性的系统,该产品无疑是最佳选择之一。强烈推荐在类似应用中使用IPB180N04S4L-01。

IPB180N04S4L-01参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-263-7

IPB180N04S4L-01厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB180N04S4L-01数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4L-01 IPB180N04S4L-01数据手册

IPB180N04S4L-01封装设计

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Symbol
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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70000+ $ 3.04 ¥ 25.3232
210000+ $ 2.736 ¥ 22.7909
350000+ $ 2.432 ¥ 20.2586
700000+ $ 2.28 ¥ 18.9924
库存: 70000
起订量: 70000 增量: 7000
交货地:
最小起订量为:70000
合计: ¥ 1772624
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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15N10 ¥ 0.63
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