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ISP25DP06NM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ISP25DP06NM
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) ISP25DP06NM

ISP25DP06NM概述

    ISP25DP06NM MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    ISP25DP06NM 是一款采用 SOT-223-4 封装的P沟道小信号晶体管,工作电压为-60V。这款 MOSFET 主要应用于通信设备、电源管理及工业控制等领域。它的关键特性使其适用于需要高可靠性与低导通电阻的应用场景。

    技术参数


    以下是 ISP25DP06NM 的主要技术参数:
    - 电气特性:
    - 最大漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -60V
    - 最大栅极阈值电压 (VGS(th)): -4.0V
    - 最大零栅极电压漏电流 (IDSS): -0.1 µA @ VDS = -60V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 189-250 mΩ @ VGS = -10V, ID = -1.9A
    - 热特性:
    - 热阻抗 (RthJA): 70°C/W
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流 (ID): -1.9A @ VGS = -10V, TA = 25°C
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): -7.6A @ TA = 25°C
    - 反向恢复时间 (trr): 30ns @ VR = -30V, IF = -1.5A, dI/dt = -100A/µs

    产品特点和优势


    ISP25DP06NM MOSFET 的主要优势包括:
    - 非常低的导通电阻 (RDS(on)): 189-250 mΩ,有效降低功耗和提高效率。
    - 100%雪崩测试: 确保可靠性和稳定性。
    - 无铅镀层,符合RoHS标准: 符合环保要求。
    - 增强模式操作: 方便实现电路设计。
    - 完全符合工业应用的标准: 经过严格的工业应用验证。

    应用案例和使用建议


    ISP25DP06NM MOSFET 广泛应用于通信电源、工业控制和其他需要高可靠性的领域。例如,在通信设备中,它可以用于高频开关电源中作为开关管,以确保高效转换电能。
    使用建议:
    1. 在使用时,应注意最大连续漏极电流和脉冲漏极电流的限制,避免过载导致损坏。
    2. 在高功率应用中,建议增加散热措施,以防止过热。

    兼容性和支持


    ISP25DP06NM MOSFET 具有良好的兼容性,可以与多种设备和组件配合使用。Infineon Technologies AG 提供全面的技术支持和维护服务,用户可以通过官方网站获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    问题1: 产品出现异常发热现象。
    解决办法: 检查电路负载是否超出额定范围,适当增加散热措施。
    问题2: 开关频率不理想。
    解决办法: 优化栅极驱动电阻值,确保合适的开关速度。

    总结和推荐


    ISP25DP06NM MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适合高可靠性需求的应用场景。它的低导通电阻和优秀的电气特性使其成为许多领域的首选产品。总体而言,我们强烈推荐使用 ISP25DP06NM MOSFET,特别是在需要高效率和稳定性的场合。

ISP25DP06NM参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-223-4

ISP25DP06NM厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

ISP25DP06NM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES ISP25DP06NM ISP25DP06NM数据手册

ISP25DP06NM封装设计

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