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BSC059N04LS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 20V 30nC 1个N沟道 40V 5.9mΩ@ 10V 2.4nF@ 20V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
供应商型号: Q-BSC059N04LS G
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC059N04LS G

BSC059N04LS G概述

    BSC059N04LS G OptiMOS™3 Power Transistor

    1. 产品简介


    BSC059N04LS G OptiMOS™3 Power Transistor 是一款高性能的N沟道逻辑电平场效应晶体管(MOSFET),专门设计用于开关模式电源(SMPS)和直流-直流(DC/DC)转换器。其关键特性使其成为高效能电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术规格和性能参数:
    - 连续漏极电流 (ID):
    - VGS=10 V, TC=25 °C:73 A
    - VGS=10 V, TC=100 °C:46 A
    - VGS=4.5 V, TC=25 °C:62 A
    - VGS=4.5 V, TC=100 °C:39 A
    - VGS=10 V, TA=25 °C, RthJA=50 K/W:16 A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):TC=25 °C:292 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):TC=25 °C:50 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):ID=50 A, RGS=25 W:25 mJ
    - 最大漏源电压 (V(BR)DSS):40 V
    - 最大零栅源电压漏极电流 (IDSS):VGS=0 V, VDS=40 V, TJ=25 °C:1 µA
    - 最大栅源漏电流 (IGSS):VGS=20 V, VDS=0 V:100 nA
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):VGS=10 V, ID=50 A:5.9 mΩ
    - 热阻 (RthJA):50 K/W
    - 功率耗散 (Ptot):TC=25 °C:50 W
    - 操作和存储温度 (Tj, Tstg):-55...150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 高速切换能力:适用于SMPS和DC/DC转换器,提供快速开关时间。
    - 低导通电阻:RDS(on)最大值为5.9 mΩ,确保高效率运行。
    - 优化技术:针对特定应用进行了优化,提供卓越的性能。
    - 热稳定性:具备出色的热阻,保证在高温环境下稳定工作。
    - 认证合规:符合JEDEC标准,RoHS和无卤素要求,适用于各种严格的应用环境。
    - 抗雪崩能力:单脉冲雪崩测试通过,保证可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    BSC059N04LS G MOSFET广泛应用于各种电子系统中,如开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等。例如,在一个典型的DC/DC转换器设计中,这款MOSFET可以用于提高转换效率和减少热损失。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑合适的散热措施,以确保MOSFET在高功率下能够正常工作。
    - 使用多层PCB板并增加铜层面积,以提高散热效果。
    - 注意选择合适的驱动电阻和电容,以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    BSC059N04LS G MOSFET采用PG-TDSON-8封装,与多种PCB布局兼容。Infineon Technologies AG提供了详细的技术文档和应用指南,帮助工程师进行设计和调试。此外,厂商还提供技术支持服务,解答用户在使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:过高的温度导致性能下降
    - 解决方案:加强散热设计,如增加散热片或使用液冷散热。
    问题2:开关频率过高导致效率降低
    - 解决方案:优化电路布局,降低寄生电容和电感的影响,使用适当的门极驱动电路。
    问题3:出现异常关断现象
    - 解决方案:检查驱动信号和电源电压是否稳定,排除外部干扰。

    7. 总结和推荐


    总结:
    BSC059N04LS G OptiMOS™3 Power Transistor是一款高性能的MOSFET,具有出色的切换性能、低导通电阻和良好的热稳定性。其优秀的电气特性和宽泛的工作温度范围使其在各种应用中表现出色。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐在高效率电子系统中使用BSC059N04LS G MOSFET。其高度可靠的设计和完善的售后服务使得它成为电子设计师的首选。

BSC059N04LS G参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 30nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@ 20V
最大功率耗散 2.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 5.9mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BSC059N04LS G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC059N04LS G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LS G BSC059N04LS G数据手册

BSC059N04LS G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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6000+ ¥ 3.2032
9000+ ¥ 3.08
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