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CRST033N08N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: CRST033N08N TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CRST033N08N

CRST033N08N概述

    # CRST033N08N 和 CRSS031N08N 产品技术手册解析

    一、产品简介


    CRST033N08N 和 CRSS031N08N 是由华润微电子(重庆)有限公司生产的SkyMOS1系列N-MOSFET产品。这两款产品均采用先进的CRM(CQ) SkyMOS1技术,适用于高效率的电力电子系统。它们具有极低的导通电阻(RDS(on)),优异的品质因数(QgxRDS(on)),并且已经通过了JEDEC标准的严格测试。
    主要特点:
    - 超低导通电阻:2.5mΩ
    - 高电流承载能力:最大连续漏极电流为160A
    - 高击穿电压:85V
    - 优良的热性能:TO-220和TO-263两种封装形式
    应用领域:
    - 同步整流AC/DC快速充电器
    - 电池管理系统
    - 不间断电源(UPS)

    二、技术参数


    以下为两款产品的关键技术规格汇总:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | V | - | 85 | - |
    | 漏极连续电流 | ID | A | - | 160 | - |
    | 极化温度范围 | Tj, Tstg | °C | -55 | - | +150 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | mΩ | - | 2.5 | 3.0 |
    | 栅源电压 | VGS | V | ±20 | - | ±20 |
    | 热阻抗 | RthJC | °C/W | 2.2 | 3.8 | - |
    | 动态特性
    | 栅极电荷 | Qg | nC | - | 130 | - |
    | 开启延时时间 | td(on) | ns | 30 | - | - |
    | 关闭延时时间 | td(off) | ns | - | 108 | - |

    三、产品特点和优势


    1. 超低导通电阻:仅2.5mΩ,使得功率损耗显著降低,适合高频高效应用。
    2. 高电流承载能力:连续工作电流可达160A,可满足高负载需求。
    3. 先进的工艺技术:采用了CRM(CQ)的SkyMOS1技术,确保卓越的性能表现。
    4. 高可靠性:100%经过雪崩测试,确保极端条件下的稳定性。
    这些特点使该系列产品在同步整流和电池管理等领域具有显著的竞争优势。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 同步整流AC/DC快速充电器:由于其低导通电阻和高电流承载能力,非常适合用于快速充电器的设计。
    2. 电池管理系统:稳定的导通特性和高可靠性使其成为电池管理系统中的理想选择。
    3. 不间断电源(UPS):在需要高稳定性和可靠性的环境中表现出色。
    使用建议:
    - 散热设计:鉴于其较高的功率耗散,建议采用良好的散热措施以避免过热。
    - 栅极驱动:建议使用合适的栅极驱动电路,以确保开关速度和稳定性。
    - 并联使用:对于更高电流需求的应用场景,可以考虑多颗并联使用以分担负载。

    五、兼容性和支持


    CRST033N08N 和 CRSS031N08N 支持多种封装形式(TO-220和TO-263),方便集成到不同设计中。华润微电子提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档资料和技术咨询。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片面积或改善空气流通条件 |
    | 开关频率不稳定 | 检查并优化栅极驱动电路 |
    | 导通电阻异常增加 | 确保工作环境温度在规定范围内 |

    七、总结和推荐


    CRST033N08N 和 CRSS031N08N 作为华润微电子的高性能N-MOSFET产品,凭借其出色的导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能,在同步整流、电池管理和UPS等领域具有显著优势。产品设计成熟且稳定,非常适合作为高效率电力电子系统的理想选择。强烈推荐给对性能要求较高的客户。

    综合评价:
    - 优点:低导通电阻、高可靠性、优秀的性能参数
    - 适用场景:同步整流、电池管理、UPS
    结论: 推荐使用!
    © China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

CRST033N08N参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

CRST033N08N厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

CRST033N08N数据手册

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CRST033N08N封装设计

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