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CRSM120N10L2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: CRSM120N10L2 DFN-8(6X5.4)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CRSM120N10L2

CRSM120N10L2概述

    # CRSM120N10L2 SkyMOS2 N-MOSFET 技术手册

    产品简介


    CRSM120N10L2 是一款基于 SkyMOS2 技术的高性能 N-MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和卓越的性能表现。其主要特点包括:
    - 额定电压:100V
    - 导通电阻(典型值):11mΩ @ 10V
    - 连续漏极电流:58A
    - 先进的 CRM(CQ) 技术
    这款 MOSFET 广泛应用于同步整流、AC/DC 快速充电器、电池管理及不间断电源(UPS)等领域,是一款高度可靠且性能卓越的产品。

    技术参数


    以下是 CRSM120N10L2 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | V | 100 | - | - |
    | 导通电阻(10V 栅压) | RDS(on) | mΩ | 10 | 11 | 13.5 |
    | 漏极连续电流 | ID | A | - | - | 58 |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | V | - | 1.8 | 2.2 |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | μA | - | 20 | - |
    | 热阻抗(结到壳) | RthJL | °C/W | - | 1.6 | - |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | °C/W | - | 47.0 | - |
    | 栅总电荷 | QG | nC | - | 28.2 | - |
    | 输出电容 | COSS | pF | - | 277 | 388 |
    此外,该产品已通过 100% 雪崩测试,可承受单脉冲雪崩能量(EAS)为 232mJ。

    产品特点和优势


    CRSM120N10L2 的独特功能和优势使其在市场上具有较高的竞争力:
    1. 先进的 CRM(CQ) SkyMOS2 技术:提供极低的导通电阻和高效率。
    2. 极低的导通电阻:11mΩ(典型值)使得功耗更低,效率更高。
    3. 高雪崩耐受能力:确保产品在恶劣环境下依然稳定运行。
    4. 优秀的开关性能:低栅电荷(QG)和快速开关时间(td(on), td(off))。
    5. 出色的温度适应性:工作温度范围宽广(-55°C 至 +150°C),适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. AC/DC 快速充电器:利用其低导通电阻特性实现高效的同步整流。
    2. 电池管理:用于电池保护电路,降低功耗并提高系统可靠性。
    3. 不间断电源(UPS):在后备供电系统中提供高效的电力转换。
    使用建议
    1. 在高功率应用中,建议合理规划散热设计,以充分利用其热性能。
    2. 对于高速开关应用,需注意驱动电路的设计,避免因过高的开关损耗导致性能下降。
    3. 由于其低阈值电压,建议选择合适的栅极驱动器以确保正常工作。

    兼容性和支持


    CRSM120N10L2 封装为 DFN5X6,可通过 Tape&Reel 方式供货。该封装具有良好的电气和机械性能,易于焊接和集成。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术咨询和定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻异常升高
    - 原因:可能由于温度过高或封装不良。
    - 解决方法:检查散热设计,确保 PCB 布局合理。
    2. 问题:开关时间不达标
    - 原因:驱动电压不足或驱动电路设计不当。
    - 解决方法:优化驱动电路,增加驱动电压。
    3. 问题:雪崩能量不足
    - 原因:未正确匹配外围元件。
    - 解决方法:根据手册调整外围元件参数。

    总结和推荐


    CRSM120N10L2 是一款高效、可靠的 N-MOSFET,特别适合高功率、高频应用场合。其先进的技术、优异的性能和广泛的适用性使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的电子系统中。
    如有进一步疑问或需求,请联系中国华润微电子技术支持团队,获取更多帮助和支持。

CRSM120N10L2参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通用封装 DFN-8

CRSM120N10L2厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

CRSM120N10L2数据手册

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CRSM120N10L2封装设计

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