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CRTS030N04L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.3mΩ@ 10V,50A 80A TO-263-2
供应商型号: CRTS030N04L TO-263-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CRTS030N04L

CRTS030N04L概述

    # 华润微电子Trench N-MOSFET产品技术手册:CRTS030N04L

    一、产品简介


    基本介绍
    CRTS030N04L是一款由华润微电子(重庆)有限公司生产的Trench工艺N型MOSFET,额定电压为40V,典型导通电阻RDS(on)仅为2.8mΩ,连续电流能力可达80A。该产品基于CRM(CQ)先进的沟槽技术开发而成,适用于多种高效率功率转换应用。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:低导通电阻、快速开关性能、卓越的电荷-电阻乘积(Qg x RDS(on))表现。
    - 应用领域:
    - 电机控制与驱动
    - 蓄电池管理
    - 不间断电源系统(UPS)

    二、技术参数


    以下是CRTS030N04L的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | TC=25°C | - | 80 | - | A |
    | 最大耗散功率 | Ptot | TC=25°C | - | 175 | - | W |
    | 极限工作温度 | Tj, Tstg | -55至+150°C | - | - | - | °C |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 2.8 | 3.3 | 4.7 | mΩ |
    | 栅极总电荷 | Qg | VGS=10V, VDS=20V | - | 131 | - | nC |

    三、产品特点和优势


    独特功能
    1. 超低导通电阻:RDS(on)典型值仅为2.8mΩ,在同类产品中具有显著优势。
    2. 高性能品质因子(FOM):Qg x RDS(on)性能优异,确保高效能输出。
    3. 可靠性验证:通过100%雪崩测试和DVDS测试,确保产品在恶劣条件下的稳定性。
    市场竞争力
    - 适用于电机控制和UPS等需要高功率密度的应用。
    - 高性价比,广泛应用于工业级和消费级电子设备。

    四、应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电机控制与驱动:作为主控MOSFET,用于驱动大功率电机,实现高效率能耗管理。
    - 不间断电源系统(UPS):保障关键负载供电连续性,确保系统可靠运行。
    使用建议
    1. 散热设计:由于最大耗散功率高达175W,需采用高效散热措施,例如加装散热片或使用热管冷却。
    2. 驱动电路优化:选择合适的栅极电阻以平衡开关速度与功耗。
    3. 避免过压现象:确保驱动电压不超过150V,防止损坏内部结构。

    五、兼容性和支持


    兼容性
    - CRTS030N04L可直接替代其他品牌的Trench MOSFET产品,尤其适合替换现有设计中的旧型号器件。
    - 支持TO-263封装标准,便于安装和集成。
    厂商支持
    - 提供全面的技术文档和支持服务,包括设计指南、样品申请及售后技术支持。
    - 厂家承诺对产品进行持续改进,提升性能与可靠性。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常温升 | 增加外部散热器并优化PCB布局。 |
    | 开关损耗过大 | 减少栅极电阻值以提高开关速度。 |
    | 导通电阻超出预期 | 检查焊接质量,确保引脚接触良好。 |

    七、总结和推荐


    综合评估
    - 优点:超低导通电阻、高功率处理能力、高可靠性。
    - 缺点:需要额外注意散热设计,否则可能影响长期使用寿命。
    推荐使用
    总体而言,CRTS030N04L是一款性能卓越、稳定可靠的功率MOSFET,非常适合应用于电机驱动、UPS等高功率需求场景。建议在项目初期充分考虑其工作环境与外围电路设计,以最大化发挥其性能优势。对于需要高效能功率控制的客户,强烈推荐使用此产品!

CRTS030N04L参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 10V,50A
配置 -
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-263-2

CRTS030N04L厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

CRTS030N04L数据手册

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CRTS030N04L封装设计

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