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CRTS095N12N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 107nC@ 10V 7mΩ@ 10V,75A 112A TO-263
供应商型号: CRTS095N12N TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
CR MICRO/无锡华润微电子 场效应管(MOSFET) CRTS095N12N

CRTS095N12N概述

    # CRTS095N12N Trench N-MOSFET 技术手册

    产品简介


    CRTS095N12N 是一款由华润微电子(重庆)有限公司生产的 Trench N-MOSFET 器件,其额定电压为 120V,导通电阻 RDS(on) 仅为 7mΩ,最大连续漏极电流可达 112A。该产品采用先进的 CRM(CQ) 沟槽工艺技术制造,适用于电机控制与驱动、电池管理以及不间断电源(UPS)等领域。
    主要功能
    - 极低的导通电阻,显著降低功耗。
    - 高效率输出,特别适合需要大电流的应用场景。
    - 支持高速开关操作,确保系统稳定性。

    技术参数


    以下是 CRTS095N12N 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | V | 120 | 120 | 120 |
    | 漏极连续电流 (ID) | A 112
    | 栅源电压 (VGS) | V | ±25 ±25 |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | mΩ 7
    | 体二极管恢复时间 (trr) | ns 58
    其他性能指标如输入电容、输出电容及反向传输电容均符合行业标准要求,确保在高频应用中的良好表现。

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:利用 CRM(CQ) 的创新沟槽工艺,大幅降低了导通电阻并提升了整体性能。
    - 优秀的品质因数 (FOM):结合低导通电阻与适中的栅电荷,实现高效的能量转换。
    - 卓越的热管理能力:具有良好的散热设计,可承受高温环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    CRTS095N12N 广泛应用于电机控制与驱动、电池管理和 UPS 系统中。例如,在电动工具或伺服系统中,它能够有效减少发热并延长设备寿命。为了充分发挥其潜力,在使用过程中应注意以下几点:
    - 确保电路板布局合理以优化散热效果;
    - 在高频率切换时选择合适的驱动器以匹配器件特性;
    - 定期检查连接点以防止过热损坏。

    兼容性和支持


    该产品封装形式为 TO-263,并且经过严格的 100% 冷启动测试和雪崩测试验证,确保可靠性。制造商提供全面的技术支持服务,包括但不限于样品申请、技术支持热线以及在线资源库访问权限。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间过流保护触发 | 调整限流电阻值 |
    | 工作温度过高 | 改善散热机制 |
    | 输出电压不稳定 | 校准反馈回路参数 |

    总结和推荐


    综上所述,CRTS095N12N 是一款高性能且可靠的 Trench N-MOSFET,尤其适合需要高性能、高效能的应用场合。凭借其领先的制造技术和广泛应用的支持,我们强烈推荐此产品给那些寻求卓越质量和成本效益平衡的专业人士使用。

CRTS095N12N参数

参数
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V,75A
栅极电荷 107nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 112A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-263

CRTS095N12N厂商介绍

CR Micro是一家全球领先的半导体公司,专注于研发和生产高性能的半导体产品。公司主营产品包括微控制器、模拟芯片和传感器等,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子、医疗设备等多个领域。

CR Micro的优势在于其强大的研发实力和丰富的产品线。公司拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新的半导体解决方案,满足客户多样化的需求。此外,CR Micro还拥有完善的供应链体系和严格的质量控制流程,确保产品的高性能和可靠性。

总之,CR Micro凭借其卓越的产品品质和专业的服务,赢得了全球客户的信赖和支持,成为半导体行业的佼佼者。

CRTS095N12N数据手册

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CRTS095N12N封装设计

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