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OSG65R1K4DF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG65R1K4DF TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG65R1K4DF

OSG65R1K4DF概述

    OSG65R1K4x 系列增强型N沟道功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    OSG65R1K4x系列是东方半导体公司生产的增强型N沟道功率MOSFET。这些器件采用先进的GreenMOSTM技术制造,提供低RDS(on)、低门极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该系列产品适用于主动功率因数校正和开关电源应用,广泛应用于消费电子产品电源、LCD/LED/PDP显示器、便携式数字电源管理、PFC电路和充电器等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 650 | 700 | 764 | V | VGS=0V, ID=250μA, Tj=150℃ |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 | - | V | VDS=VGS, ID=250μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | 1.2 | 1.4 | 2.9 | Ω | VGS=10V, ID=2A, Tj=150℃ |
    | 门极-源极泄漏电流 | IGSS | 100 | - | -100 | nA | VGS=±30V |
    | 漏源漏电流 | IDSS | 1 | - | - | μA | VDS=650V, VGS=0V |
    其他关键电气特性如下:
    - 输入电容(Ciss):259.9 pF
    - 输出电容(Coss):21.1 pF
    - 反向转移电容(Crss):0.9 pF
    - 总门极电荷(Qg):8.2 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):2.2 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):3.4 nC
    封装信息:
    - TO-251, TO-252, TO-220F 封装
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏极电流(ID):4 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):12 A
    - 最大耗散功率(PD):
    - TO-251, TO-252:28.4 W
    - TO-220F:24 W
    热特性:
    - 结到外壳热阻(RθJC):
    - TO251/TO252:4.4 °C/W
    - TO220F:5.2 °C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):
    - TO251/TO252:62 °C/W
    - TO220F:62.5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 极低的RDS(on),减少损耗。
    - 低FOM(品质因子),提高效率。
    - 极低的开关损耗,提高系统整体效率。
    - 良好的稳定性和均匀性。
    - 采用先进GreenMOSTM技术,确保高性能和可靠性。
    优势:
    - 高效节能:低RDS(on)和低FOM有助于降低功耗。
    - 快速响应:低门极电荷和低开关损耗确保快速开关操作。
    - 稳定性高:良好的稳定性和均匀性使其在各种应用中表现优异。
    - 适用于严苛环境:工作温度范围广,适应不同环境需求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子产品电源:如手机充电器、笔记本电脑适配器。
    - LCD/LED/PDP显示器:用于驱动背光灯等模块。
    - 便携式数字电源管理:如手持式电子设备的电源管理系统。
    - PFC电路:用于提高功率因数,减少电力浪费。
    使用建议:
    - 电路设计:在设计时考虑散热措施,特别是连续工作情况下。
    - 操作温度:确保工作温度不超出-55℃至150℃的范围。
    - 测试条件:根据不同的应用场景调整门极电压(VGS)和漏极电流(ID)。
    - 保护电路:建议使用适当的保护电路,防止过压和过流情况发生。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与其他电子元器件的兼容性:该系列MOSFET可以与多种电源管理和控制芯片配合使用,适用于各种应用场景。
    - 软件支持:厂商提供了相关的驱动程序和开发工具包,帮助客户进行产品开发。
    支持和维护:
    - 技术支持:提供专业的技术支持团队,解答客户的疑问并提供解决方案。
    - 售后服务:产品质量保证期为两年,如有质量问题可免费更换。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:开启延迟时间(td(on))较长,影响开关速度。
    - 解决方案:增加栅极电阻(RG),减小门极充电时间,加快开关速度。
    2. 问题:开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方案:增加栅极驱动电阻(RG),减小栅极驱动电压上升速度,抑制振荡现象。
    3. 问题:工作温度过高导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:优化散热设计,如添加散热片或风扇,确保工作温度保持在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:低RDS(on)和低FOM显著提高了系统的能效;快速开关特性和优良的稳定性使其在多种应用中表现出色;宽泛的工作温度范围使其适用于各种环境。
    - 缺点:无明显缺点,仅需注意合理散热设计以避免过热。
    推荐使用:
    - 推荐在需要高效、快速开关且具有高稳定性的应用中使用OSG65R1K4x系列MOSFET,尤其是在消费电子、显示器和便携式设备中。建议在实际应用前进行详细的设计和测试,确保最佳性能。

OSG65R1K4DF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252

OSG65R1K4DF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

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OSG65R1K4DF封装设计

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