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OSG60R099KSZF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: OSG60R099KSZF TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
ORIENTAL/苏州东微半导体 场效应管(MOSFET) OSG60R099KSZF

OSG60R099KSZF概述

    OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    OSG60R099KSZF 是一款采用东方半导体技术生产的增强型N沟道功率MOSFET。该产品基于GreenMOS®技术,采用了电荷平衡技术,以实现较低的导通电阻和更低的栅极电荷。GreenMOS® Z系列集成了快速恢复二极管(FRD),可降低反向恢复时间。这款MOSFET适用于多种应用场合,包括PC电源、电信电源、服务器电源、电动汽车充电器及电机驱动器。

    2. 技术参数


    - 关键性能参数
    - 最小击穿电压 \(V{DS}\): 650 V
    - 脉冲电流 \(I{D,\text{pulse}}\): 108 A
    - 最大导通电阻 \(R{DS(ON)}\):99 mΩ
    - 栅极电荷 \(Qg\): 66.8 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 600 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±30 V
    - 连续漏极电流 (TC=25°C): 36 A
    - 反向二极管脉冲电流 (TC=25°C): 108 A
    - 功率耗散 (TC=25°C): 278 W
    - 单脉冲雪崩能量: 1000 mJ
    - 操作和存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 热特性
    - 结温到外壳热阻 \(R{θJC}\): 0.45°C/W
    - 结温到环境热阻 \(R{θJA}\): 62°C/W
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3917.5 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 203.3 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 9.0 pF
    - 开通延迟时间 \(t{d(on)}\): 48.3 ns
    - 上升时间 \(tr\): 77.0 ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\): 90.9 ns
    - 下降时间 \(tf\): 4.6 ns

    3. 产品特点和优势


    OSG60R099KSZF 的主要特点包括:
    - 低导通电阻与优值 (Low RDS(ON) & FOM):99 mΩ的最大导通电阻使其在高效率应用中表现优异。
    - 超低开关损耗 (Extremely low switching loss):显著减少开关过程中产生的能量损失。
    - 出色的稳定性和一致性 (Excellent stability and uniformity):保证产品在各种工作条件下的稳定表现。
    - 高速且稳健的体二极管 (Ultra-fast and robust body diode):反向恢复时间短,确保高效工作。

    4. 应用案例和使用建议


    OSG60R099KSZF 主要应用于PC电源、电信电源、服务器电源、电动汽车充电器和电机驱动器等领域。例如,在PC电源系统中,OSG60R099KSZF 可以显著提高电源转换效率,减少发热。在使用时,建议根据具体应用调整驱动电路的设计,以优化性能。此外,在设计时需注意散热管理,以确保MOSFET在高温环境下正常运行。

    5. 兼容性和支持


    OSG60R099KSZF 可与其他标准封装的功率MOSFET互换,广泛兼容现有设计。东方半导体提供了详尽的技术文档和支持,包括测试电路图和波形图,有助于进一步优化设计方案。如有任何疑问,可通过官网 www.orientalsemi.com 联系销售代表获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,使用合适的散热器或冷却系统。 |
    | 导通电阻异常高 | 检查焊接质量和驱动信号,确保良好的电气连接。 |
    | 开关损耗较大 | 优化驱动电路设计,选择适当的驱动电阻,以减少开关损耗。 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,OSG60R099KSZF 在多个应用领域表现出色,特别是在需要高效率和高可靠性的应用场景中。其出色的低导通电阻、低开关损耗和稳健的体二极管性能使其成为众多电源转换系统的理想选择。推荐此产品给追求高效、可靠和紧凑设计的应用开发人员。

OSG60R099KSZF参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263

OSG60R099KSZF厂商介绍

Oriental公司是一家领先的精密工程和制造企业,专注于为客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括精密机械零件、自动化设备组件、模具和工具等,这些产品广泛应用于汽车、****、医疗设备、电子和消费品等多个领域。

Oriental公司的产品分类主要包括:
1. 精密机械零件:涵盖各种高精度、高复杂度的机械部件,用于提高机械设备的性能和可靠性。
2. 自动化设备组件:为自动化生产线提供关键部件,如驱动器、传感器和控制系统等。
3. 模具和工具:包括用于塑料、金属和其他材料成型的模具,以及用于制造和维修的工具。

Oriental公司的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,采用先进的制造技术和材料,以保持产品的技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的一致性和可靠性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案,满足特定应用的需求。
- 快速响应:灵活的生产和供应链管理,能够快速响应市场变化和客户需求。

Oriental公司致力于通过其高质量的产品和服务,为客户创造价值,并推动相关行业的技术进步。

OSG60R099KSZF数据手册

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OSG60R099KSZF封装设计

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