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GS66506T-MR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
供应商型号: J-GANS-0000046
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GS66506T-MR

GS66506T-MR概述


    产品简介


    GS66506T 650 V E模式氮化镓晶体管
    GS66506T是一款面向高效率功率转换应用的增强模式氮化镓(GaN)晶体管。它采用顶部冷却配置,具备出色的开关频率特性。该产品广泛应用于交流-直流转换器、桥式拓扑结构、不间断电源等领域。其独特的技术设计使得GS66506T能够在高压、大电流及高频应用场景中展现出卓越的性能。

    技术参数


    - 工作电压: 650 V(最大瞬态电压可达750 V)
    - 漏源电流: 连续工作电流22.5 A(在Tcase=25°C时),脉冲电流54 A(脉宽为100 μs)
    - 导通电阻: RDS(on) = 67 mΩ(在VGS = 6 V时)
    - 门极驱动: 门极电压范围0 V至+6 V(瞬态电压范围-20 V至+10 V)
    - 开关频率: > 100 MHz
    - 封装尺寸: 5.6 x 4.5 mm²
    - 热阻抗: RΘJC = 0.7 °C/W(结到外壳的热阻抗)
    - 认证标准: RoHS 6 符合

    产品特点和优势


    - 高效能功率转换: GS66506T采用先进的Island Technology™技术,具有超低的导通电阻和高效的开关频率,能够实现非常高的功率转换效率。
    - 顶部冷却配置: 结构设计优化了热管理,减少了热阻抗,适合高功率应用场景。
    - 低损耗反向恢复: 无需反向恢复二极管,节省了成本并提高了系统可靠性。
    - 易用的门极驱动: 可以轻松驱动且支持宽泛的门极电压范围,简化了电路设计。
    - 低寄生电感: 小型封装内具有低寄生电感和热阻抗,便于散热和布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 不间断电源 (UPS)
    - GS66506T在UPS中用于实现高效率的功率转换,同时支持快速电池充电。
    2. 工业电机驱动
    - 在电机驱动系统中,GS66506T可以提供稳定可靠的功率输出,并支持高效能转换。
    使用建议
    - 布局建议: 由于GS66506T采用顶部冷却设计,因此需要在PCB上留出足够的散热空间,并采用对称的栅极驱动布局以减少寄生振荡。
    - 外部元件选择: 推荐使用支持6 V门极驱动且具有低阻抗、高峰值电流的门极驱动器,以确保最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: GS66506T适用于非隔离半桥MOSFET驱动器,但需注意某些高阈值电压的驱动器可能不适用。
    - 支持和服务: GaN Systems Inc. 提供详细的应用指南和技术支持,包括RC热模型,帮助用户进行详细的热仿真。

    常见问题与解决方案


    - Q: 门极驱动电压超出规定范围会造成什么后果?
    - A: 门极电压超出范围可能导致器件损坏。建议严格遵循手册中的推荐电压范围。

    - Q: 在高温度下使用时,需要注意哪些事项?
    - A: 在高温环境下,需特别关注热管理和散热,避免因温度过高导致器件失效。使用清洁的助焊剂,并遵守IPC/JEDEC J-STD-020 REV D.1的焊接工艺。

    总结和推荐


    GS66506T 是一款高性能的650 V增强模式氮化镓晶体管,具有高效能、高频率、低损耗等特点,非常适合于高效率的功率转换应用。其优越的性能和易于集成的特点使其成为替代传统硅基器件的理想选择。
    我们强烈推荐GS66506T用于各类需要高效率功率转换的应用场合。此外,GaN Systems Inc. 提供的技术支持和详细文档,有助于用户更好地理解和利用这一优秀的产品。

GS66506T-MR参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
包装方式 卷带包装

GS66506T-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

GS66506T-MR数据手册

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GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GAN SYSTEMS GS66506T-MR GS66506T-MR数据手册

GS66506T-MR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.895 ¥ 176.5628
5+ $ 16.1 ¥ 142.8473
10+ $ 15 ¥ 133.0875
50+ $ 13.3 ¥ 118.0043
100+ $ 12.4 ¥ 110.019
200+ $ 12.1 ¥ 107.3573
库存: 208
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