处理中...

首页  >  产品百科  >  GS66508B-MR

GS66508B-MR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
供应商型号: CGC-GS66508B-MR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GS66508B-MR

GS66508B-MR概述


    产品简介


    GS66508B 是一款由 GaN Systems 公司生产的增强模式氮化镓(GaN)硅基功率晶体管。作为一款650V增强型器件,GS66508B具有高电流、高电压击穿能力和高开关频率的特点。其广泛应用于各种电子设备,如AC-DC转换器、DC-DC转换器、桥式无桥总极PFC、逆变器、储能系统、车载电池充电器、不间断电源(UPS)、太阳能能源、工业电机驱动、家用电器、激光驱动器和无线电力传输等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 工作结温 | TJ | -55 150 | °C
    | 存储温度范围 | TS | -55 150 | °C
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 750 | V | <1µs |
    | 栅源击穿电压 | VGS | -10 7 | V
    | 持续漏极电流(Tcase=25°C) | IDS 30 A
    | 持续漏极电流(Tcase=100°C) | IDS 25 A
    | 脉冲漏极电流(脉冲宽度50µs,VGS=6V) | IDS Pulse 60 A | 定义于产品设计 |
    | 热阻(结到壳,底部冷却) | RΘJC | 0.5 °C/W
    | 热阻(结到环境) | RΘJA | 24 °C/W

    产品特点和优势


    GS66508B 的关键优势包括:
    - 高效率开关:低导通电阻(50mΩ),超低FOM(品质因数)晶片,简化栅极驱动要求(0V至6V)。
    - 高速开关:非常高的开关频率(>10 MHz),快速可控的上升和下降时间。
    - 反向导电能力:无需外置二极管,零反向恢复损失。
    - 小封装尺寸:7.0 x 8.4 mm² PCB 占位面积。
    - 兼容环保材料:RoHS 3 (6+4) 合规。
    - 创新技术:岛形技术(Island Technology®)和 GaNPX® 封装,提供低电感和低热阻的小型封装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. AC-DC转换器:在高效电源适配器中用于减少损耗,提高转换效率。
    2. DC-DC转换器:适用于汽车电源管理,提高系统效率。
    3. 逆变器:在太阳能发电系统中使用,提高能量转换效率。
    使用建议
    1. 栅极驱动:确保使用0V到6V的栅极驱动电压,以获得最佳的RDS(on)性能。
    2. 并行操作:设计宽PCB走线或多边形以均匀分布栅极驱动信号,并保持每个设备的驱动环路长度尽量短且相等。
    3. 热管理:通过增加铜层厚度来优化散热性能。

    兼容性和支持


    GS66508B 采用 GaNPX® 封装,能够与标准MOSFET驱动器兼容,但需要确保驱动器支持6V的栅极驱动和合适的UVLO。如果使用非隔离半桥MOSFET驱动器,则需要特别注意选择合适的驱动器。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极驱动电压设置不当导致效率降低
    - 解决方案:确保使用0V至6V的栅极驱动电压。如果使用5V,则可能降低效率。
    2. 问题:反向恢复损耗
    - 解决方案:避免使用负栅极电压,因为这会增加反向导通损耗。
    3. 问题:栅极寄生振荡
    - 解决方案:在每个栅极上添加1-2Ω的小门极电阻,以减少寄生振荡。

    总结和推荐


    GS66508B 在高功率应用中表现出色,拥有极低的导通电阻、高开关频率和出色的热管理性能。这些特点使其成为各种高性能电力转换和电机控制系统的理想选择。对于需要高效率和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用 GS66508B。

GS66508B-MR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
包装方式 卷带包装

GS66508B-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

GS66508B-MR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GAN SYSTEMS GS66508B-MR GS66508B-MR数据手册

GS66508B-MR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 13.2633 ¥ 112.0751
库存: 80
起订量: 23 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 112.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336