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GS66508T-MR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
供应商型号: J-GANS-0000047
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GS66508T-MR

GS66508T-MR概述

    GS66508T: Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

    1. 产品简介


    GS66508T 是一款增强型氮化镓(GaN)硅基功率晶体管,提供卓越的高电压击穿能力和高速开关性能。该产品专为高效率和高密度电力转换而设计,广泛应用于各种高性能电力转换系统中,如桥式拓扑结构、不间断电源、工业电机驱动、太阳能和风能转换等领域。

    2. 技术参数


    - 基本特性:650 V 增强型功率开关,采用顶部冷却配置。
    - 关键指标:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):50 mΩ(典型值)
    - 最大持续漏极电流 \(I{DS(max)}\):30 A(Tcase=25°C)
    - 瞬态性能:
    - 漏源电压 \(V{DS(transient)}\):750 V(1 µs)
    - 栅源电压 \(V{GS(transient)}\):-20 V 至 +10 V
    - 热性能:
    - 热阻 \(R{ΘJC}\):0.5°C/W(结到外壳)
    - 热阻 \(R{ΘJB}\):5.0°C/W(结到板)

    3. 产品特点和优势


    - 高电流密度:GaN Systems 专利的 Island Technology® 用于实现高性能的大电流芯片。
    - 低损耗:采用 GaNPX® 封装,具有低电感和低热阻的特点。
    - 高速开关:高开关频率可达 >100 MHz,且具有快速可控的上升和下降时间。
    - 反向导电能力:无反向恢复损失,实现高效的反向导电。
    - 紧凑封装:尺寸仅为 6.9 x 4.5 mm²。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高效率电力转换:适合用于 AC-DC 转换器、无桥倍压 PFC 和相移全桥等应用。
    - 高密度电力转换:适用于各种需要高功率密度的应用,如电机驱动和不间断电源。
    - 具体使用建议:
    - 使用标准 MOSFET 驱动器时需确保其支持 6 V 栅极驱动,并且启用电压锁定阈值(UVLO)适应 6 V 运行。
    - 在并联操作中,使用双栅极引脚实现平衡栅极驱动,并建议添加小栅极电阻以减少栅极寄生振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与非隔离半桥 MOSFET 驱动器配合使用,但需特别注意选择合适的驱动器。
    - 支持:GaN Systems 提供详细的门极驱动应用说明和热行为建模应用说明,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何正确设置门极驱动电压?
    - 解决方案:推荐使用 0 V 至 +6 V 的门极驱动电压。使用标准 MOSFET 驱动器,确保驱动器支持 6 V 并具有适当的启用电压锁定阈值(UVLO)。
    - 问题 2:如何处理并联操作中的电流不平衡?
    - 解决方案:使用双栅极引脚实现平衡栅极驱动,保持所有并联器件的驱动环路长度尽可能短且相等,必要时可使用星形连接。

    7. 总结和推荐


    综上所述,GS66508T 是一款性能卓越的氮化镓晶体管,具备高电流密度、低损耗、高开关频率和良好的反向导电能力。它非常适合应用于高效率和高密度电力转换系统中。我们强烈推荐此产品给寻求高性能、高可靠性的电力转换解决方案的工程师和设计师。

GS66508T-MR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GS66508T-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

GS66508T-MR数据手册

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GAN SYSTEMS 场效应管(MOSFET) GAN SYSTEMS GS66508T-MR GS66508T-MR数据手册

GS66508T-MR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 25.6 ¥ 227.136
5+ $ 20.7 ¥ 183.6608
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