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PDN3909S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体
产品描述: 46mΩ@ 4.5V,2A 5.1A SOT-23-3S
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 场效应管(MOSFET) PDN3909S

PDN3909S概述


    产品简介


    PDN3909S 是由 Potens Semiconductor Corp. 推出的一款高性能 30V P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻(RDS(ON) = 32mΩ@VGS = -10V)和快速开关性能,适合多种高效率应用。主要功能包括作为负载开关、电池保护及便携式设备的核心元件。其典型应用领域涵盖笔记本电脑、手持仪器、电池管理系统等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | -30 -30 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 ±20 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | -5.1 -3.2 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) -20.4 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 39.2 mJ |
    | 单脉冲雪崩电流(IAS) 28 A |
    | 功率耗散(PD) 1.56 W |
    | 热阻抗(RθJA) 125 °C/W |
    | 热阻抗(RθJC) 80 °C/W |
    此外,该器件的工作温度范围为 -55 至 +150°C,支持 -4.5V 栅极驱动,具备出色的瞬态响应能力。

    产品特点和优势


    1. 卓越的性能:采用先进的沟槽 DMOS 技术,实现超低导通电阻(32mΩ)和高雪崩能量承受能力(39.2mJ),特别适用于高效率快开关电路设计。
    2. 绿色环保:符合 RoHS 标准,是一款“绿色”器件。
    3. 宽泛工作条件:能够在严苛环境下稳定运行,适用于笔记本电脑、手持设备等多种场景。
    4. 快速开关:具备优秀的动态特性,适用于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑电源管理:PDN3909S 可以用于笔记本电脑的电池保护电路中,确保电池安全高效地工作。
    - 负载开关:适用于需要频繁开关的大电流负载电路。
    - 便携设备:如手持式医疗设备、通信设备等。
    使用建议
    1. 在设计过程中,需考虑热管理和散热设计,尤其是在高功耗情况下。
    2. 使用时避免超过最大额定电压和电流值,否则可能导致器件损坏。
    3. 选择合适的栅极电阻(RG),以优化开关速度并减少开关损耗。

    兼容性和支持


    PDN3909S 的封装为 SOT23-3S,与主流 PCB 设计兼容。Potens Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速完成集成与调试。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少开关频率或增加散热措施 |
    | 雪崩模式下无法正常工作 | 检查输入信号是否符合要求 |
    | 导通电阻异常增大 | 更换新品或确认焊接质量 |

    总结和推荐


    PDN3909S 是一款兼具高性能和可靠性的 P-Channel MOSFET,尤其适合于高效率、快速开关的应用场景。其低导通电阻和优越的动态特性使其在市场上具备较强的竞争优势。总体而言,我们非常推荐这款产品给需要高性能电源管理解决方案的设计工程师。
    如果您正在寻找一款能够满足现代电子设备需求的 MOSFET,那么 PDN3909S 将是一个理想的选择!

PDN3909S参数

参数
Id-连续漏极电流 5.1A
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@ 4.5V,2A
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23-3S

PDN3909S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 场效应管(MOSFET) POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 PDN3909S PDN3909S数据手册

PDN3909S封装设计

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