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PDS4906

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体
产品描述:
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POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 场效应管(MOSFET) PDS4906

PDS4906概述

    # Potens Semiconductor PDS4906 40V N-Channel MOSFET 技术概述

    产品简介


    PDS4906 是一款由 Potens Semiconductor 推出的高性能 40V N-Channel MOSFET,适用于高效率、快速开关的应用场景。该器件采用先进的沟槽 DMOS 技术设计,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),出色的开关性能和高能脉冲承受能力,适用于笔记本电脑、负载开关、LED 应用及手持设备等领域。

    技术参数


    以下为 PDS4906 的关键电气和技术参数:
    - VDS(漏源电压):40V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 连续漏极电流(TA=25°C):9A
    - 连续漏极电流(TA=100°C):5.7A
    - 脉冲漏极电流(IDM):36A
    - 功率耗散(TA=25°C):1.47W
    - 热阻(RθJA):62.5°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    典型导通电阻:RDS(ON) = 9mΩ(VGS = 10V,ID = 9A)。
    其他参数如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)及反向传输电容(Crss)均详细记录,确保高频开关应用的可靠性。

    产品特点和优势


    PDS4906 具备多项独特优势:
    1. 低导通电阻(RDS(ON)):仅 9mΩ(VGS = 10V),减少功率损耗。
    2. 快速开关性能:支持高频率开关应用,降低功耗并提升系统效率。
    3. 高可靠性:能够在高温和高能脉冲下保持稳定性能。
    4. 绿色环保:采用无铅封装,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑电源管理:利用其快速开关特性和低导通电阻,显著提高电源转换效率。
    - LED 驱动器:适合需要高效率、低热量积累的 LED 驱动电路。
    - 负载开关:应用于电池供电设备中,提供稳定的开关控制。
    使用建议
    - 散热设计:鉴于高功率耗散(1.47W),需注意 PCB 散热设计以避免过热。
    - 驱动电路匹配:建议使用带有合适驱动电阻的电路以优化开关性能。

    兼容性和支持


    PDS4906 采用 SOP8 封装,广泛兼容同类引脚配置的器件,方便现有系统的升级或替换。Potens Semiconductor 提供全面的技术支持,包括设计指导、样品供应及售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过大导致发热 | 增加外接散热片或改善 PCB 散热路径 |
    | 开关速度慢 | 确保驱动电压达到额定值并优化栅极电阻 |

    总结和推荐


    PDS4906 是一款针对高效率开关设计的理想选择,特别适合需要高能效、小体积及可靠性的应用。凭借其出色的性能参数和创新的技术实现,该器件在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐给对性能和效率有严格要求的设计工程师和产品经理。

PDS4906参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8

PDS4906数据手册

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POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 场效应管(MOSFET) POTENS SEMICONDUCTOR/台湾博盛半导体 PDS4906 PDS4906数据手册

PDS4906封装设计

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