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G2305

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.7W 1V@ 250uA 20V 52mΩ@ 4.5V,4.1A 4.1A SOT-23 贴片安装
供应商型号: G2305 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
LGE/深圳鲁光电子 场效应管(MOSFET) G2305

G2305概述

    # G2305 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    G2305 是一款采用先进沟槽技术制造的P沟道MOSFET。这款器件具有出色的RDS(ON)电阻、低栅极电荷,且可在最低2.5V的栅源电压下工作。G2305 特别适用于负载开关和PWM(脉冲宽度调制)应用。其高功率处理能力和电流承载能力使其成为电力管理和系统设计的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±8 V
    - 漏源电压 (VDS): -20 V
    - 持续漏极电流 (ID): -4.1 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -15 A
    - 最大功耗 (PD): 1.7 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 74°C/W
    电气特性
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12 ns
    - 开启上升时间 (tr): 35 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 10 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 7.8 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.2 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 1.6 nC
    - 阈值电压 (VGS(th)): -0.7 V (VDS = VGS, ID = -250 μA)
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 52 mΩ (VGS = -4.5 V, ID = -4.1 A)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 先进的沟槽技术确保低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。
    - 可在低至2.5V的栅源电压下工作,增强系统灵活性。
    - 高功率和电流承载能力,适用于严苛的应用环境。
    - 表面贴装封装,适合自动化生产和高密度电路板设计。
    市场竞争力
    - 相较于其他同类产品,G2305在相同条件下提供更低的导通电阻,减少能量损耗。
    - 较低的栅极电荷使得开关速度更快,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PWM应用: G2305可用于驱动电机、LED灯等需要精确控制输出的场合。
    - 负载开关: 在电源管理模块中作为负载开关使用,以实现更高效的能源利用。
    使用建议
    - 为了最大限度发挥G2305的优势,在PWM应用中,建议设置适当的占空比和频率,以获得最佳的开关性能。
    - 对于负载开关,应确保电路布局合理,以减小寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    - G2305 采用SOT-23封装,可轻松适配大多数表面贴装工艺,与其他标准封装产品具有良好的兼容性。
    支持和服务
    - LG Electronics 提供详尽的技术支持文档和快速响应的客户服务,以帮助客户解决任何可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 栅极损坏:
    - 问题: 设备在工作过程中突然失效。
    - 原因: 过高的栅极电压导致栅极击穿。
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保VGS不超过±8V。
    2. 过热问题:
    - 问题: 设备在运行时出现过热现象。
    - 原因: 功率过大或散热不良。
    - 解决方案: 保证良好的散热条件,如增加散热片或优化PCB布局。
    3. 开关效率低下:
    - 问题: 开关时发现损耗较高。
    - 原因: 栅极电荷过高。
    - 解决方案: 使用低栅极电荷的驱动器以减少损耗。

    总结和推荐


    综合评估
    G2305凭借其先进的沟槽技术和低导通电阻、低栅极电荷的特性,在负载开关和PWM应用中表现出色。其高功率和电流承载能力,以及优异的电气特性,使其成为电力管理和系统设计的理想选择。
    推荐使用
    鉴于G2305的强大性能和广泛的应用范围,强烈推荐用于需要高效能电力转换和开关控制的应用场合。无论是新设计还是现有系统的升级,G2305都是一款值得考虑的选择。

G2305参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4.1A
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 1.7W
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 4.5V,4.1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

G2305厂商介绍

LGE公司,即LG电子(LG Electronics),是韩国LG集团的子公司之一,成立于1958年,总部位于韩国首尔。LGE是全球领先的电子产品制造商,业务涵盖多个领域,包括家用电器、移动通信、家庭娱乐、商业解决方案等。

主营产品分类:
1. 家用电器:包括冰箱、洗衣机、空调、厨房电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 家庭娱乐:电视、音响、蓝光播放器等。
4. 商业解决方案:显示器、商业空调、数字标牌等。

应用领域:
LGE的产品广泛应用于家庭、商业、教育、医疗等多个领域,满足不同用户的需求。

LGE的优势:
1. 技术创新:LGE持续投入研发,拥有大量专利技术,引领行业发展趋势。
2. 品牌影响力:作为全球知名品牌,LGE享有良好的市场声誉和客户忠诚度。
3. 产品质量:LGE注重产品质量,严格把控生产流程,确保产品性能稳定可靠。
4. 客户服务:LGE提供全方位的客户服务,包括售前咨询、售后支持等,提升客户满意度。

G2305数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LGE/深圳鲁光电子 场效应管(MOSFET) LGE/深圳鲁光电子 G2305 G2305数据手册

G2305封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
12000+ ¥ 0.1413
36000+ ¥ 0.1363
78000+ ¥ 0.1288
库存: 300000
起订量: 12000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:12000
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