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NVTR4502P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTR4502P SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) NVTR4502P

NVTR4502P概述


    产品简介


    NVTR4502P P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
    NVTR4502P是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。这款器件特别适用于负载开关和PWM(脉冲宽度调制)应用中。其低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷特性使得它在多种电力转换应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本电气参数
    - VDS(漏源电压): -30V
    - ID(连续漏电流,Tc=25°C): -5.0A
    - ID(连续漏电流,Tc=100°C): -3.5A
    - IDM(脉冲漏电流): -20A
    - 最大功耗: 2.1W
    - 绝对最大额定温度范围: TJ, TSTG: -55°C 至 150°C
    - 热特性
    - 结到外壳的热阻: RθJc = 1.1°C/W
    - 结到环境的热阻: RθJA = 60°C/W
    - 静态参数
    - BVDSS(漏源击穿电压): -30V
    - IDSS(零栅电压漏电流): 1μA
    - IGSS(栅体漏电流): ±100nA
    - VGS(th)(栅阈值电压): -0.5V 至 -1.5V
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - VGS=-10V, ID=-4.0A: 41mΩ (典型值), 50mΩ (最大值)
    - VGS=-4.5V, ID=-3.5A: 50mΩ (典型值), 65mΩ (最大值)
    - VGS=-2.5V, ID=-2.0A: 60mΩ (典型值), 90mΩ (最大值)
    - 动态参数
    - Clss(输入电容): 640pF (VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz)
    - Coss(输出电容): 80pF
    - Crss(反向传输电容): 55pF
    - td(on)(导通延迟时间): 6.5ns (VDS=-15V, ID=-1A, VGS=-10V, RG=3Ω)
    - tr(导通上升时间): 3.5ns
    - td(off)(关断延迟时间): 41ns
    - tf(关断下降时间): 9ns
    - Qg(总栅电荷): 14nC (VDS=-15V, ID=-4.0A, VGS=-10V)
    - Qgd(栅极-漏极电荷): 1.6nC
    - Rg(栅极电阻): 7Ω (VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz)

    产品特点和优势


    NVTR4502P的主要特点如下:
    - 高效能:先进的沟槽技术确保了出色的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷。
    - 宽工作电压范围:最高可达-30V,适合各种高压应用。
    - 低栅阈值电压:最低可至-2.5V,可以与较低电压控制电路兼容。
    - 快速切换速度:优秀的动态参数使得在高频率应用中表现出色。
    - 强大的安全性能:绝对最大额定温度范围宽广,能够在极端环境下稳定工作。
    这些特性使NVTR4502P成为需要高效率、高可靠性及良好温度适应性的负载开关和PWM应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTR4502P广泛应用于各种电力转换应用,如负载开关和PWM逆变器。在电动汽车充电系统、电源供应模块和通信设备等领域均有应用实例。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,需要特别关注散热问题,以防止过温引起的损坏。
    - 建议在设计电路时考虑NVTR4502P的开关速度特性,合理安排电路布局以减少EMI干扰。
    - 为了确保最佳性能,在高频率应用中,适当增加外部栅极电阻以减小门极振荡。

    兼容性和支持


    NVTR4502P与其他标准SOT23封装的电子元器件兼容,方便替换和升级。制造商提供了详尽的技术支持文档,并设有热线和技术支持团队,随时解答用户的技术咨询和问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,检查并改进电路布局,避免热量集中。 |
    | 开关损耗大 | 调整门极电阻值,减少门极电荷的影响;检查负载情况,优化电路配置。 |
    | 导通电阻不稳定 | 检查是否工作在额定条件下,确认电压和电流参数符合要求;必要时更换合适的MOSFET。 |

    总结和推荐


    NVTR4502P凭借其出色的导通电阻、低门极电荷和宽泛的工作电压范围,为工程师提供了一款高效的P沟道增强型功率MOSFET。无论是从性价比还是性能稳定性来看,这款产品都极具吸引力。因此,对于需要高性能电力转换解决方案的应用场合,强烈推荐使用NVTR4502P。
    这篇文章详细介绍了NVTR4502P P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的各项关键技术和应用特点,希望能为电子元器件工程师们提供有价值的参考。

NVTR4502P参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-23

NVTR4502P厂商介绍

Leiditech(雷迪泰克)是一家专注于智能传感器技术的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能传感器产品。公司主营产品包括但不限于:

1. 光电传感器:用于检测物体的存在和位置,广泛应用于自动化设备、机器人、智能交通等领域。
2. 接近传感器:用于检测物体的接近程度,常用于工业自动化、汽车制造等行业。
3. 光纤传感器:以其高精度和抗干扰能力,被广泛应用于精密测量、环境监测等场合。
4. 视觉传感器:通过图像识别技术,实现对物体的识别、定位和测量,广泛应用于智能制造、质量检测等领域。

Leiditech的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 产品性能:产品具有高灵敏度、高稳定性和高可靠性,满足严苛工业环境需求。
- 定制服务:提供定制化解决方案,满足客户特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的国际销售网络,产品远销全球多个国家和地区。

Leiditech以其卓越的技术和服务,为客户提供高质量的传感器解决方案,助力各行各业实现智能化升级。

NVTR4502P数据手册

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LEIDITECH/上海雷卯电子 场效应管(MOSFET) LEIDITECH/上海雷卯电子 NVTR4502P NVTR4502P数据手册

NVTR4502P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.483
3000+ ¥ 0.322
9000+ ¥ 0.3164
15000+ ¥ 0.308
42000+ ¥ 0.2884
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