处理中...

首页  >  产品百科  >  JMTV210P02A

JMTV210P02A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: JMTV210P02A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JMTV210P02A

JMTV210P02A概述

    # JMTV210P02A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    JMTV210P02A 是江苏杰杰微电子有限公司生产的一款P沟道增强型功率MOSFET,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的优势。其额定电压为-20V,连续漏电流可达-12A,是众多电源转换和开关应用的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-20V
    - 栅源电压(VGSS):±12V
    - 持续漏电流(ID):-12A (25℃), -8A (100℃)
    - 脉冲漏电流(IDM):48A
    - 功耗(PD):4.5W (25℃)
    - 热阻(RθJC):27.8℃/W
    - 工作及存储温度范围(TJ, TSTG):-55℃ 至 +150℃
    电气特性
    - 断态电压(V(BR)DSS):-20V
    - 零栅压漏电流(IDSS):-1μA
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 导通电压(VGS(th)):-0.4至-1.0V
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):22mΩ (VGS = -4.5V), 30mΩ (VGS = -2.5V)
    - 输入电容(Ciss):2000pF
    - 输出电容(Coss):242pF
    - 反向转移电容(Crss):231pF
    - 总栅极电荷(Qg):15.3nC
    - 栅源电荷(Qgs):2.2nC
    - 栅漏电荷(Qgd):4.4nC
    开关特性
    - 开启延时时间(td(on)):10ns
    - 上升时间(tr):31ns
    - 关闭延时时间(td(off)):28ns
    - 下降时间(tf):8ns
    二极管特性
    - 最大连续漏源二极管正向电流(IS):-12A
    - 最大脉冲漏源二极管正向电流(ISM):-48A
    - 漏源二极管正向电压(VSD):-0.8至-1.2V

    产品特点和优势


    JMTV210P02A 的核心优势在于其卓越的低导通电阻(RDS(ON))和高可靠性。该产品采用了先进的沟槽技术,保证了低栅极电荷和高效率。此外,它还是一款无铅产品,符合环保要求。这些特性使得它在负载开关、PWM应用和电源管理等领域的表现尤为出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JMTV210P02A 适用于多种电路设计,包括但不限于负载开关、PWM控制器、电源管理和电池充电电路。例如,在一个负载开关应用中,它可以有效地控制电路的开关状态,提高整体系统效率。
    使用建议
    1. 散热管理:尽管JMTV210P02A 具有良好的热阻特性,但在高电流应用中,仍需注意良好的散热设计以避免过热。
    2. 输入输出电容:在电路设计中加入适当的输入输出电容可以降低电压瞬变的影响,提高系统的稳定性和可靠性。
    3. 驱动电路:为了充分利用其性能,建议采用适合的驱动电路,以确保栅极电荷得到高效传输,从而减少开关损耗。

    兼容性和支持


    JMTV210P02A 采用标准DFN2020-6L封装,支持标准的SMT贴装工艺。该产品具有广泛的兼容性,可以与其他常见的SMT器件轻松搭配使用。此外,江苏杰杰微电子有限公司提供详尽的技术支持和售后保障,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题:长时间高电流运行可能导致器件过热。
    2. 驱动不稳定:驱动信号可能不够强,导致开关不完全。
    解决方案
    1. 散热措施:增加散热片或改善PCB布局以提升散热效果。
    2. 驱动改进:使用合适的驱动电路,增加驱动强度或优化信号路径。

    总结和推荐


    总体来看,JMTV210P02A 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,特别适用于需要低导通电阻和高效率的应用场合。其先进的技术和可靠的设计使其成为负载开关、PWM应用和电源管理领域的理想选择。综上所述,我们强烈推荐JMTV210P02A 用于各种高要求的电力转换和开关电路中。

JMTV210P02A参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
通用封装 DFN-2020-6

JMTV210P02A厂商介绍

JJW公司是一家领先的工业设备和解决方案提供商,专注于为全球客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 工业自动化设备:涵盖机器人、自动化生产线、传感器等,广泛应用于制造业、物流等领域。
2. 能源管理解决方案:包括智能电网、太阳能发电系统等,服务于电力、可再生能源行业。
3. 环保技术产品:如废水处理设备、空气净化系统,应用于环保、化工等行业。

JJW的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业特定需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和分销网络,确保全球客户都能获得优质服务。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。

JJW公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动工业进步。

JMTV210P02A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JJW/江苏捷捷微电子 JMTV210P02A JMTV210P02A数据手册

JMTV210P02A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3738
9000+ ¥ 0.3575
30000+ ¥ 0.3348
库存: 3680
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1121.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504