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JMTK060N06A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 103nC@ 10V 4.5mΩ@ 10V,30A 120A TO-252-2
供应商型号: JMTK060N06A
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JMTK060N06A

JMTK060N06A概述

    # JMTK060N06A 技术手册解析

    产品简介


    产品类型: JMTK060N06A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 JieJie Microelectronics 公司生产。
    主要功能: 该器件具备高效率、低导通电阻(RDS(ON))及快速开关速度的特点,是现代电源管理和负载切换的理想选择。
    应用领域: 本产品广泛应用于负载开关、PWM(脉宽调制)电路以及电源管理等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 规格范围 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDSS) | 60 | V |
    | 最大门源电压 (VGSS) | ±25 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | 120(TC=25℃) / 78(TC=100℃) | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 480 | A |
    | 单次脉冲雪崩能量 (EAS) | 225 | mJ |
    | 热阻 (RθJC) | 0.83 | ℃/W |
    | 工作温度范围 (TJ, TSTG) | -55 至 +175 | ℃ |
    静态特性
    - RDS(ON):最大值为 5.9mΩ(在 VGS=10V 下)
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 5672pF(VDS=25V, VGS=0V)
    动态特性
    - 总门电荷 (Qg):典型值为 103nC
    - 开关时间 (td(on), tr):典型值分别为 12ns 和 8ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):最大值为 49ns
    - 关断下降时间 (tf):最大值为 15ns

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术: JMTK060N06A 使用先进的沟槽技术,提供了较低的导通电阻和门电荷,从而实现更高的能效。
    2. 高可靠性: 经过 100% 的UIS(雪崩测试)和 ΔVds 测试,确保产品的耐用性和稳定性。
    3. 低功耗设计: RDS(ON) 达到极低值(5.9mΩ),减少了功率损耗。
    4. 环保认证: 产品为无铅设计,符合 RoHS 标准。
    这些特点使其成为高性能电源转换和负载控制的理想选择,在消费电子、工业控制和通信设备中具有广泛应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关: 在电机驱动和开关电源中作为主开关器件,用于接通或断开负载。
    - PWM 应用: 可用作驱动模块的核心组件,适用于LED背光、逆变器等领域。
    - 电源管理: 适合于高效率 DC/DC 转换器设计。
    使用建议
    - 散热管理: 由于高功率密度可能导致热积累,建议通过 PCB 设计优化散热路径,如增加铜箔面积或安装散热片。
    - 驱动电路设计: 确保驱动电压(VGS)不低于 10V 以达到最佳性能。同时避免 VGS 超过 ±25V,防止击穿风险。
    - 测试与验证: 在使用前务必对关键参数进行验证,特别是雪崩耐受能力和热稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: JMTK060N06A 采用 TO-252-4R 封装,与同类 MOSFET 器件完全互换。
    - 支持服务: JieJie Microelectronics 提供详尽的技术文档和支持服务,包括样片申请、参考设计和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | RDS(ON) 远高于规范值 | 检查 VGS 是否低于阈值(<4V) |
    | 驱动时发热异常 | 优化散热设计并检查输入电压 |
    | 开关速度过慢 | 确保驱动电路提供足够的 Qg 电流 |

    总结和推荐


    JMTK060N06A 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其卓越的导通电阻、低功耗和快速开关特性,非常适合各种高效率电源管理应用。公司提供的全面技术支持和高质量产品保证,使其成为工程师的理想选择。
    推荐理由: 若您正在寻找一款满足高性能需求、稳定可靠的功率 MOSFET,JMTK060N06A 是一个值得考虑的产品。

JMTK060N06A参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 103nC@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 10V,30A
通用封装 TO-252-2
应用等级 工业级

JMTK060N06A厂商介绍

JJW公司是一家领先的工业设备和解决方案提供商,专注于为全球客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 工业自动化设备:涵盖机器人、自动化生产线、传感器等,广泛应用于制造业、物流等领域。
2. 能源管理解决方案:包括智能电网、太阳能发电系统等,服务于电力、可再生能源行业。
3. 环保技术产品:如废水处理设备、空气净化系统,应用于环保、化工等行业。

JJW的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业特定需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和分销网络,确保全球客户都能获得优质服务。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。

JJW公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动工业进步。

JMTK060N06A数据手册

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JMTK060N06A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.356
5000+ ¥ 1.3334
10000+ ¥ 1.2995
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