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JMTG030P02A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100nC@ 4.5V 2.1mΩ@ 4.5V,30A 85A PDFN-8
供应商型号: JMTG030P02A
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
JJW/江苏捷捷微电子 场效应管(MOSFET) JMTG030P02A

JMTG030P02A概述

    # JMTG030P02A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    - 产品名称:JMTG030P02A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
    - 制造商:捷捷微电子有限公司
    - 版本:1.0
    主要功能
    JMTG030P02A 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))和优秀的开关特性,适用于负载开关、PWM 应用和电源管理等领域。
    应用领域
    - 负载开关
    - PWM应用
    - 电源管理

    技术参数


    极限参数(TC=25℃)
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源电压 | -20 | V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±12 | V |
    | ID | 连续漏极电流 | TC = 25℃时为 -85 A,TC = 100℃时为 -55 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 340 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 154 | mJ |
    | PD | 功耗 | TC = 25℃时为 33 W |
    | RθJC | 热阻 | 3.8 | ℃/W |
    | TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 至 +150 ℃ |
    电气特性(TJ=25℃)
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID= -250μA | -20 | - | - | V |
    | IDSS | 零栅源电压漏极电流 | VDS= -20V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
    | IGSS | 栅体漏电流 | VDS=0V, VGS= ±12V | - | - | ±100 | nA |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 | VDS=VGS, ID= -250μA | -0.4 | - | -1.0 | V |
    | RDS(on) | 静态漏源导通电阻 | VGS= -4.5V, ID= -30A | - | 2.1 | 2.7 | mΩ |
    VGS= -2.5V, ID= -20A | - | 2.7 | 3.8 | mΩ |
    VGS= -1.8V, ID= -15A | - | 3.8 | 5.7 | mΩ |

    产品特点和优势


    特点
    1. 高耐压能力:漏源电压高达 -20V。
    2. 低导通电阻:RDS(ON) 在不同栅电压下的典型值分别为 2.7mΩ(VGS = -4.5V)、3.8mΩ(VGS = -2.5V)和 5.7mΩ(VGS = -1.8V)。
    3. 先进的沟槽技术:提供卓越的RDS(ON) 和低栅极电荷。
    4. 无铅产品:符合环保要求。
    优势
    - 高效能:适用于高功率应用,确保系统的高效运行。
    - 可靠性高:通过了100% UIS和ΔVds测试。
    - 兼容性强:与多种电路和系统兼容,适应性强。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:在汽车电子和工业控制系统中作为负载开关使用,确保稳定可靠的电力传输。
    - PWM应用:广泛应用于各类电机控制、LED驱动等领域,实现精准的电流控制。
    使用建议
    - 在使用过程中应注意散热设计,以防止过热。
    - 在选择栅极驱动电阻时,需根据具体应用需求进行合理设置,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品采用PDFN5X6-8L封装,易于集成到现有电路中。
    - 与常见的PWM控制器和其他功率器件具有良好的兼容性。
    支持和服务
    - 捷捷微电子提供详尽的技术支持文档和样品测试服务。
    - 用户可以通过官方网站或技术支持热线获得快速响应和技术指导。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何处理过热问题?
    解决方案:增加散热片或散热风扇,确保良好的热管理。同时,可调整电路布局,减少热点。
    问题2:栅极驱动电压不合适导致性能不佳怎么办?
    解决方案:调整栅极驱动电压,选择合适的驱动电阻,确保栅极驱动信号的稳定性。

    总结和推荐


    综合评估
    JMTG030P02A是一款性能优异的P沟道增强型功率MOSFET,具备低导通电阻、高耐压能力和优秀的开关特性。适用于多种高功率应用场合,如负载开关和PWM应用。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛应用,强烈推荐此款产品用于高可靠性和高效能的应用场景。无论是汽车电子还是工业控制系统,JMTG030P02A都将是理想的选择。

JMTG030P02A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 100nC@ 4.5V
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 4.5V,30A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 PDFN-8

JMTG030P02A厂商介绍

JJW公司是一家领先的工业设备和解决方案提供商,专注于为全球客户提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 工业自动化设备:涵盖机器人、自动化生产线、传感器等,广泛应用于制造业、物流等领域。
2. 能源管理解决方案:包括智能电网、太阳能发电系统等,服务于电力、可再生能源行业。
3. 环保技术产品:如废水处理设备、空气净化系统,应用于环保、化工等行业。

JJW的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业特定需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和分销网络,确保全球客户都能获得优质服务。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。

JJW公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动工业进步。

JMTG030P02A数据手册

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JMTG030P02A封装设计

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10000+ ¥ 1.416
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