处理中...

首页  >  产品百科  >  FMW47N60S1HF

FMW47N60S1HF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: FMW47N60S1HF TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FMW47N60S1HF

FMW47N60S1HF概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HF 是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,采用TO-247封装。这款晶体管的主要功能是用于开关应用,具有低栅极驱动需求、低开关损耗和低导通电阻等特点。其广泛应用于电源管理、电机控制和各种开关电路中。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS 600 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±30 V |
    | 漏极连续电流 | ID | 47 29.7 | A |
    | 单脉冲漏极电流 | IDM 141 | A |
    | 总耗散功率 | PD 390 | W |
    | 工作结温范围 | Tj | -55 150 | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 150 | ℃ |
    | 热阻(结至外壳) | Rth(ch-c) 0.32 | ℃/W|
    电气特性
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V; ID=0.25mA 600 | V |
    | 栅阈电压 | VGS(th)| VDS=±30V; ID=0.25mA | 2.5 3.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V; ID=23.5A 59 | 70 | mΩ |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V; VDS=0V | ±0.1 μA |
    | 漏源漏电流 | IDSS | VDS=600V; VGS=0V; @Tc=25℃ | 25 μA |
    | 二极管正向电压 | VSDF | ISD=47A, VGS = 0 V 1.35| V |

    产品特点和优势


    isc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HF 的主要优势在于其高可靠性和出色的性能表现。它采用了TO-247封装,保证了低导通电阻和低开关损耗,同时支持100%雪崩测试,保证了产品的质量和稳定性。此外,它的栅极驱动要求较低,易于驱动,可以大大简化设计流程并减少外部元件数量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET晶体管被广泛应用于各种开关电路中,特别是在电源管理、电机控制和逆变器应用中表现出色。例如,在一个典型的开关电源应用中,FMW47N60S1HF 能够显著提高效率,降低功耗,并且具备优良的热管理能力。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议用户在应用过程中考虑以下几点:
    1. 严格按照电气特性表进行使用,避免超过额定参数。
    2. 注意散热措施,尤其是在高功率应用场合,合理选用散热片以保证良好的热管理。
    3. 尽量减少外部寄生电容,特别是引线电感的影响,以减小开关过程中的过电压。

    兼容性和支持


    isc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HF 在设计上与市场上常见的电源管理设备和其他高压MOSFET晶体管具有很好的兼容性,可以轻松集成到现有系统中。同时,isc公司提供了全面的技术支持和服务,包括详尽的数据手册和技术文档、在线技术支持和售后服务保障,为用户提供一站式服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免MOSFET损坏?
    解决方案:遵循电气特性表中的规定使用参数,避免过压和过流情况的发生。此外,合理布置散热系统以控制芯片温度,防止因过热导致的损坏。
    问题2:在高频率下工作时,如何改善性能?
    解决方案:在高频率下工作时,应特别注意寄生电感和电容的影响。可以通过缩短引线长度、选择合适的PCB布局来最小化这些寄生效应。另外,选择低门限电压的MOSFET以提高效率。

    总结和推荐


    综上所述,isc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HF 在性能和可靠性方面表现优异,适合广泛应用于各种高压开关电路中。其低导通电阻、易于驱动以及良好的热管理能力使得它在市场上具备很高的竞争力。因此,我们强烈推荐使用这款MOSFET晶体管。

FMW47N60S1HF参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-247

FMW47N60S1HF厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FMW47N60S1HF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FMW47N60S1HF FMW47N60S1HF数据手册

FMW47N60S1HF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 56.25
500+ ¥ 36
库存: 10000
起订量: 5 增量: 500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 281.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336