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IPW60R180C7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPW60R180C7 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPW60R180C7

IPW60R180C7概述

    INCHANGE Semiconductor IPW60R180C7 N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    INCHANGE Semiconductor 的 IPW60R180C7 是一款 N-Channel MOSFET 转换器,适用于多种电力电子应用。这款产品具备低静态漏源导通电阻(RDS(on)≤180mΩ),能够实现快速开关。它采用增强模式设计,经过100%雪崩测试,确保设备的可靠性和稳健性,同时最大限度地减少批次间差异,从而提高可靠性。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 600 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 13 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 45 A
    - 总耗散功率 @ TC=25℃ (PD): 68 W
    - 最大结温 (Tj): 150 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55~150 ℃

    - 热特性:
    - 结至壳体热阻 (Rth(j-c)): 1.832 ℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 62 ℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 600 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 3~4 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 180 mΩ
    - 栅源漏电流 (IGSS): 0.1 μA
    - 漏源漏电流 (IDSS): 1 μA
    - 二极管正向电压 (VSD): 在IF=5.3A, VGS=0V 时的值

    产品特点和优势


    - 低漏源导通电阻:RDS(on) ≤ 180mΩ,有效降低功耗。
    - 快速开关特性:适用于高效率电源转换应用。
    - 增强模式设计:提升系统的稳定性和可靠性。
    - 100% 雪崩测试:确保在极端条件下的性能稳定。
    - 最小化批次差异:提高制造一致性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    IPW60R180C7 适用于多种电力电子应用,如直流到直流转换器、逆变器、电机驱动和电源管理模块。具体的应用案例包括:
    - 电动车充电器:高效率和可靠性对电动车充电器至关重要,IPW60R180C7 可以显著提高充电器的性能。
    - 太阳能逆变器:该 MOSFET 的高效特性使其非常适合用于太阳能逆变器,提升能量转换效率。
    - 工业电源:在工业环境中,对于稳定性和耐用性的要求较高,IPW60R180C7 可满足这些需求。
    使用建议:
    - 确保散热良好,使用适当的散热器和冷却系统,以防止过热。
    - 在安装过程中注意栅极保护,避免静电放电损害。
    - 注意在高温环境下使用时的降额操作,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPW60R180C7 可以与其他标准 N-Channel MOSFET 设备兼容,适用于广泛的电路设计。
    - 支持:INCHANGE Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维护服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过低,导致发热严重。
    - 解决方法: 检查电路设计,优化驱动信号和负载匹配,提高开关频率。
    - 问题2: 漏电流过高,影响整体性能。
    - 解决方法: 检查接线是否正确,确认栅极驱动信号强度合适,并检查是否有外部干扰。
    - 问题3: 温度过高,需要更好的散热措施。
    - 解决方法: 增加散热器面积或改进散热设计,确保良好的空气流通。

    总结和推荐


    INCHANGE Semiconductor 的 IPW60R180C7 N-Channel MOSFET 转换器在电力电子领域表现出色,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。无论是电动汽车充电器还是工业电源,这款产品都能提供卓越的性能。强烈推荐使用 IPW60R180C7,特别是在需要高效能和高可靠性电力转换的场合。

IPW60R180C7参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-247

IPW60R180C7厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPW60R180C7数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPW60R180C7 IPW60R180C7数据手册

IPW60R180C7封装设计

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