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IPB60R125CP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPB60R125CP D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPB60R125CP

IPB60R125CP概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R125CP 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:IPB60R125CP 是一款N沟道功率MOSFET晶体管,采用To-263(D2PAK)封装形式。此款晶体管特别适用于开关应用,能够提供高效稳定的电力转换。
    主要功能:
    - 低输入电容和栅极电荷。
    - 低栅极输入电阻。
    - 高耐压能力和抗雪崩能力。
    - 100%抗雪崩测试通过。
    - 最小批次间差异确保稳定可靠的运行。
    应用领域:适合各种开关电源、电机驱动、电池充电管理等领域。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 600 V |
    | VGSS | 栅源电压 ±30 V |
    | ID | 漏极电流-连续 (Tc=25℃, Tc=100℃) 25, 16 A |
    | IDM | 漏极电流-单脉冲 | 82 | A |
    | PD | 总耗散功率 (@Tc=25℃) | 208 | W |
    | Tch | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 -55 150 | ℃ |
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=0.25mA | 600 V |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS; ID=1.1mA | 2.5 | 3.5 V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 10V; ID=16A | 110 | 125 mΩ |
    | IGSS | 栅漏电流 | VGS= ±20V;VDS=0V ±0.1 | μA |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=600V; VGS= 0V;Tj=25℃ | 2 | 250 μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=16A, VGS = 0 V | 0.9 | 1.2 V |

    产品特点和优势


    - 低输入电容和栅极电荷:有助于减少开关过程中的能量损失。
    - 低栅极输入电阻:便于驱动,提高系统的整体效率。
    - 100%抗雪崩测试通过:确保在极端条件下依然稳定可靠。
    - 最小批次间差异:保证产品质量的一致性,减少生产风险。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:可用于电动车辆、光伏逆变器、风力发电系统等需要高功率、高效能转换的应用场景。
    - 使用建议:为了最大化利用其特性,建议在电路设计时充分考虑散热问题,避免高温环境下工作,以防止性能下降。另外,在应用过程中需要注意其电压和电流限制,避免超载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与市场上大多数开关电源设计兼容,可直接替换同类型的其他品牌产品。
    - 支持信息:厂家提供详细的使用手册和技术支持,以便于用户在应用过程中快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的散热方案?
    - 解决方案:根据具体的工作条件选择合适的散热片,计算热阻,并确保散热路径通畅,以保持芯片温度在安全范围内。
    2. 问题:如何避免过压和过流?
    - 解决方案:在电路设计时加入保护电路,例如稳压二极管、保险丝等,可以有效防止过压和过流现象发生。
    3. 问题:如何检测漏电流?
    - 解决方案:可以通过专业的仪器设备对MOSFET进行在线测试,及时发现并排除故障点。

    总结和推荐


    IPB60R125CP N沟道功率MOSFET以其高可靠性、低损耗和优秀的电气特性在各类电力转换应用中表现出色。其独特的设计和严格的质量控制使其在市场上具有较强的竞争力。如果你正在寻找高性能、稳定可靠的MOSFET器件,IPB60R125CP绝对是一个值得推荐的选择。

IPB60R125CP参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IPB60R125CP厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB60R125CP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPB60R125CP IPB60R125CP数据手册

IPB60R125CP封装设计

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