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IRFS4610

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFS4610 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFS4610

IRFS4610概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4610 技术手册解析

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4610 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子设备的开关应用。其采用To-263 (D2PAK) 封装,具备低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点,适合用于各种电源管理和控制应用。

    技术参数


    以下是IRFS4610的主要技术参数:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=0.25mA | 100 100 | V |
    | VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS; ID=0.1mA | 2.0 4.0 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V; ID=44A | 11 | 12.5 | 14 | mΩ |
    | IGSS | 栅源漏电流 | VGS=±20V; VDS=0V | -0.2 +0.2 | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=100V; VGS=0V; Tj=25℃ | 20 250 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=44A, VGS=0V 1.3 | V |
    绝对最大额定值:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源电压 | Ta=25℃ | 100 | V |
    | VGSS | 栅源电压 ±20 | V |
    | ID | 连续漏极电流 | Tc=25℃ | 73 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 290 | A |
    | PD | 总耗散功率 | Tc=25℃ | 190 | W |
    | Tch | 最大结温 175 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 -55~175| ℃ |
    热特性:
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth(ch-c) | 渠道到外壳热阻 | 0.77 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 渠道到环境热阻 | 40 | ℃/W |

    产品特点和优势


    IRFS4610具有以下显著特点和优势:
    1. 低输入电容和栅极电荷:这有助于减少开关损耗,提高电路效率。
    2. 100%雪崩测试:确保产品在极端条件下仍能可靠运行。
    3. 最小化批次间差异:确保稳定性能,提升可靠性。
    4. 广泛的温度范围:可以在较宽的温度范围内正常工作,适应不同的环境条件。
    这些特性使其成为开关应用中的理想选择,尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    IRFS4610适用于多种电子设备的开关应用,如电源管理、电机驱动和汽车电子系统。在实际应用中,用户需要注意散热设计以确保其在高功率操作下的稳定性能。
    建议在设计过程中:
    - 确保良好的散热设计,避免热失控。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以降低开关损耗并确保可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    目前手册未提及与其他电子元器件的具体兼容性信息。但通常情况下,IRFS4610与其同系列的产品和其他类似封装的产品兼容性较好。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,用户可以随时联系官方获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理过高的栅源电压?
    - 使用专用的栅极保护电路或外部栅极电阻来限制电压。
    2. 如何避免栅极电荷过高引起的误导通?
    - 使用低栅极电阻来加速栅极电荷的释放,减少误导通的可能性。
    3. 如何改善热性能?
    - 在安装时增加散热片或使用更好的散热材料,并考虑使用散热膏以提高热传导效率。

    总结和推荐


    IRFS4610凭借其优秀的性能参数和广泛的应用范围,在电子设备开关应用中表现优异。尤其适用于需要高效和可靠工作的场合。虽然部分兼容性信息尚待进一步了解,但厂商提供了充分的技术支持,使得用户能够轻松应对可能出现的问题。
    综上所述,我们强烈推荐IRFS4610作为高质量的N沟道MOSFET产品,特别适用于需要高效率和高可靠性的场合。

IRFS4610参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -

IRFS4610厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFS4610数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFS4610 IRFS4610数据手册

IRFS4610封装设计

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