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IRLR3103

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRLR3103 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3103

IRLR3103概述


    产品简介


    产品名称:IRLR3103 N-Channel MOSFET Transistor
    产品类型:N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:低导通电阻(RDS(on)≤19mΩ),适用于高电流开关应用
    应用领域:汽车电子、电源管理、电机驱动等通用电子设备

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=250μA | - | 30 | - | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS; ID=250μA | 1.0 | - | - | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS=10V; ID=19A | - | 19 | - | mΩ |
    | IGSS | 门-源极泄漏电流 | VGS=±16V | -0.1 | - | 0.1 | μA |
    | IDSS | 源-漏极泄漏电流 | VDS=30V; VGS=0V | - | - | 25 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | Is=28A, VGS=0V | - | 1.3 | - | V |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 30 | V |
    | VGS | 门源电压 | ±16 | V |
    | ID | 持续漏极电流 | 55 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 220 | A |
    | PD | 总耗散功率 | 107 | W |
    | Tj | 最大工作结温 | 175 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~175 | ℃ |
    热阻参数
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    ||
    | Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 1.4 | ℃/W |
    | Rth(j-a) | 结到环境热阻 | 110 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 19mΩ,适合高效率开关应用
    - 高可靠性:100%雪崩测试,最小批次间差异,确保稳定可靠
    - 快速开关:适用于高速开关需求
    - 宽工作温度范围:存储温度范围为-55~175℃,适应各种环境
    - 热稳定性:较低的热阻特性,提高散热效率

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:用于直流-直流转换器,电池充电器,逆变器等。
    2. 汽车电子:用于电动机驱动,车载照明系统等。
    3. 电机驱动:用于风扇、泵和电动机的控制。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意布局和走线,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 在高温环境下,增加外部散热措施以保持工作温度在安全范围内。
    - 配合专用驱动电路使用,避免不必要的信号干扰。

    兼容性和支持


    - 本产品与多数标准驱动电路兼容,但具体兼容性需参考具体应用要求。
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括样品申请、设计咨询和技术文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 使用外部散热装置,改进PCB布局 |
    | 电流超过额定值 | 确认驱动电路输出电流符合要求 |
    | 短路情况下损坏 | 添加保护电路,如熔断器、保险丝 |
    | 信号干扰 | 改进布线设计,增加滤波器 |

    总结和推荐


    总结:
    IRLR3103是一款高性能N-沟道MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性、快速开关等优势。其广泛的应用范围和可靠的性能使其成为多种工业和消费电子设备的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐在需要高电流、高速开关的场合使用IRLR3103,特别是对热稳定性和可靠性有较高要求的应用。对于任何使用该产品的工程师和设计师,建议详细阅读技术手册并遵循推荐的设计指南,以确保最佳性能和可靠性。

IRLR3103参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -

IRLR3103厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRLR3103数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRLR3103 IRLR3103数据手册

IRLR3103封装设计

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