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IPD60R650CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD60R650CE DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R650CE

IPD60R650CE概述


    产品简介


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R650CE/IIPD60R650CE 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于多种电力电子应用。该产品以其低静态导通电阻(RDS(on) ≤ 0.65Ω)和快速开关特性著称,使其非常适合用于电源管理、电机控制、直流-直流转换器和其他高功率应用领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 600V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (ID): 9.9A
    - 单脉冲峰值漏极电流 (IDM): 19A
    - 最大耗散功率 (PD): 82W (当环境温度 TC=25℃)
    - 最大结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -40℃~150℃
    - 热特性
    - 结到壳体热阻 (Rth(j-c)): 1.52℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-a)): 62℃/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 600V (VGS=0V; ID=0.25mA)
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2.5V~3.5V (VDS=VGS; ID=0.2mA)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.65Ω (VGS=10V; ID=2.4A)
    - 栅泄漏电流 (IGSS): 0.1μA (VGS=20V; VDS=0V)
    - 源漏泄漏电流 (IDSS): 1μA (VDS=600V; VGS=0V)
    - 二极管正向电压 (VSD): 0.9V (IF=3A; VGS=0V)

    产品特点和优势


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R650CE/IIPD60R650CE 的主要优势在于其卓越的电气性能和可靠性。产品具有静态导通电阻低(RDS(on) ≤ 0.65Ω)、100%雪崩测试验证和最低限度的批次间差异,保证了其在复杂应用中的稳定性和一致性。此外,其快开关特性进一步提升了整体系统效率,使其在高功率应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理系统:利用其高耐压和低导通电阻特性,适合用于大功率电源管理和电池充电器。
    - 电机驱动:其快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动系统的理想选择。
    - DC-DC 转换器:适合用于要求高效率和高可靠性的DC-DC转换器设计。
    使用建议
    - 在安装时确保良好的散热措施,以避免因高温导致的性能下降。
    - 选择合适的栅极驱动电路,以确保栅极电压保持在安全范围内。
    - 根据具体应用需求合理选择驱动电流,避免电流过大导致损坏。

    兼容性和支持


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R650CE/IIPD60R650CE 设计用于与各种电子元器件和系统兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以通过官方网站获取相关资料和技术支持。如果有任何特殊需求或问题,可以联系制造商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极驱动电路?
    - 解答:根据驱动电流和电压的要求选择合适的栅极驱动芯片。一般推荐使用具备高驱动能力和低功耗的专用栅极驱动IC。

    - 问题2:在过载情况下,如何防止MOSFET损坏?
    - 解答:确保使用适当的散热器并选择合适的工作条件。在设计系统时考虑增加过流保护机制,如使用保险丝或热敏电阻等。

    - 问题3:如何减少电磁干扰(EMI)?
    - 解答:使用屏蔽电缆和接地技术来减少外部噪声对MOSFET的影响。同时确保栅极引线尽可能短,以减少寄生电感带来的影响。

    总结和推荐


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IPD60R650CE/IIPD650CE 在电力电子领域展现了其出色的性能和稳定性。凭借其低导通电阻、快速开关和高可靠性,使得它在众多应用中表现出色。对于需要高性能MOSFET的应用,强烈推荐选用此款产品。

IPD60R650CE参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -

IPD60R650CE厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD60R650CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD60R650CE IPD60R650CE数据手册

IPD60R650CE封装设计

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