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IPA60R190P6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2个N沟道 600V 20.2A TO-220F
供应商型号: IPA60R190P6 TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPA60R190P6

IPA60R190P6概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R190P6 技术手册解析

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R190P6 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源和各种电力转换系统中。其主要功能是通过调节电压来控制电流,实现高效能的电力传输和转换。这款MOSFET广泛用于消费电子产品、工业控制系统、电动汽车充电设备等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压(Drain-Source Breakdown Voltage): VDSS = 600V
    - 漏源导通电阻(Drain-Source On-Resistance): RDS(on) = 0.19Ω (最大值)
    - 栅源击穿电压(Gate-Source Voltage): VGSS = ±20V
    - 持续漏电流(Continuous Drain Current): ID = 20.2A (Tc=25℃), 12.7A (Tc=100℃)
    - 单脉冲峰值电流(Single Pulsed Peak Drain Current): IDM = 57A
    - 总耗散功率(Total Dissipation Power): PD = 151W (Tc=25℃)
    - 绝对最大额定值
    - 存储温度范围(Storage Temperature Range): Tstg = -55°C to 150°C
    - 最大结温(Maximum Junction Temperature): TJ = -55°C to 150°C
    - 通道到外壳热阻(Channel-to-Case Thermal Resistance): Rth(ch-c) = 3.7°C/W
    - 通道到环境热阻(Channel-to-Ambient Thermal Resistance): Rth(ch-a) = 80°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 100% 雪崩测试确保设备在极端条件下的稳定性能。
    - 低热阻: 较低的通道到外壳和通道到环境热阻提高了散热效率,减少了过热风险。
    - 低门限电压: 门限电压为3.5V到4.5V,使得驱动更加容易,适用于多种驱动电路。
    - 低导通电阻: RDS(on) 最大值仅为0.19Ω,使得该器件具有优异的能效比。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 该器件被广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器等。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时需注意散热设计,避免超过最大结温。
    - 使用适当的驱动电路以确保快速且稳定的开关操作。
    - 对于需要高频操作的应用,可以考虑采用并联多个MOSFET以降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IPA60R190P6 与其他标准的N沟道MOSFET在引脚定义上相兼容,便于替换使用。
    - 技术支持: Isc 提供详细的技术文档和在线支持,用户可以通过官方网站获取最新的技术资料和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过大
    - 解决方案: 确保工作温度在额定范围内,检查驱动电路是否存在问题。
    - 问题2: 导通电阻过高
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否达到规定值,检查电路连接是否有接触不良。

    总结和推荐


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R190P6 以其高可靠性、低导通电阻和优异的热管理能力,在多种电力转换应用中表现出色。适合要求高效能和高可靠性的场合。总体而言,推荐在电力电子系统中使用该产品。

IPA60R190P6参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 20.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-220F

IPA60R190P6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPA60R190P6数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPA60R190P6 IPA60R190P6数据手册

IPA60R190P6封装设计

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