处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFP4768

IRFP4768

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200W 4V@ 250uA 150V 42mΩ@ 10V,22A 43A TO-247
供应商型号: IRFP4768 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFP4768

IRFP4768概述

    电子元器件技术手册解析:N-Channel MOSFET Transistor IRFP4768

    1. 产品简介


    N-Channel MOSFET Transistor IRFP4768 是一款高性能的增强模式N沟道功率MOSFET晶体管。其主要功能包括高效率同步整流、不间断电源、高速功率开关及硬开关和高频电路。广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统、电源管理和各种电力控制设备中。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值(Ta=25℃):
    - 漏源电压 (VDSS): 250 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 93 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 370 A
    - 总耗散功率 (@TC=25℃): 520 W
    - 最大工作结温 (Tj): 175 ℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~175 ℃
    - 热特性:
    - 结到壳热阻 (Rth(j-c)): 0.29 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(j-a)): 40 ℃/W
    - 电气特性(TC=25℃):
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 250 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 3.0 ~ 5.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 17.5 mΩ (VGS=10V; ID=56A)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±0.1 μA (VGS= ±20V)
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 20 μA (VDS=250V; VGS= 0V)
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.3 V (IS=56A, VGS = 0V)

    3. 产品特点和优势


    IRFP4768具有多个显著的优势:
    - 低漏源导通电阻 (RDS(on)): ≤17.5mΩ,确保在各种应用中实现高效能耗。
    - 增强模式: 简化驱动电路设计,提高系统的可靠性。
    - 100%雪崩测试: 保证了产品的耐用性和稳定性。
    - 最小批次间差异: 保证了产品的性能一致性。
    这些特性使得IRFP4768在高效率、高频率和高功率密度的场合中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFP4768适用于多种应用场合,例如开关电源(SMPS)中的高效率同步整流、不间断电源系统中的电源转换、硬开关和高频电路中的高速功率开关等。
    使用建议:
    - 散热设计: 考虑到高功率消耗和较高的结温,需要良好的散热设计以保证器件的稳定运行。
    - 驱动电路: 使用合适的栅极驱动电路,以防止过高的栅源电压导致器件损坏。
    - 匹配应用: 在选择该器件时,需确保其参数与具体应用的需求相匹配。

    5. 兼容性和支持


    IRFP4768是通用型产品,能够与大多数标准电路板和电子设备兼容。ISC公司提供全面的技术支持,包括产品手册、应用指南和常见问题解答,帮助客户更好地利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何有效降低器件的工作温度?
    解决方案:通过优化散热设计,如增加散热片、采用高效散热材料或改进风冷系统来降低结温。
    问题2:如何防止栅源电压过高导致器件损坏?
    解决方案:确保使用合适的栅极驱动电路,可以使用专门的栅极驱动IC以避免电压过高。
    问题3:如何确保器件长期运行的可靠性?
    解决方案:进行严格的测试和验证,确保器件在规定的环境和电气条件下稳定工作。同时,根据手册建议定期检查和维护设备。

    7. 总结和推荐


    IRFP4768是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,具有高效率、可靠性和广泛应用潜力。其低漏源导通电阻和增强模式特性使其成为电源管理和电力控制领域的理想选择。综合考虑其技术参数和实际应用表现,强烈推荐在高功率和高频应用中使用IRFP4768。
    如果您对电子元器件有更多的需求或疑问,欢迎访问 [ISC官方网站](http://www.iscsemi.cn) 获取更多信息。

IRFP4768参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@ 10V,22A
最大功率耗散 200W
Id-连续漏极电流 43A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
通道数量 -
通用封装 TO-247

IRFP4768厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFP4768数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFP4768 IRFP4768数据手册

IRFP4768封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 22.0688
500+ ¥ 14.124
库存: 10000
起订量: 5 增量: 500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 110.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336