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FDD5670

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDD5670 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDD5670

FDD5670概述


    产品简介


    FDD5670 是一款由 ISC 半导体公司生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。这种晶体管以其高性能和高可靠性著称,适用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关和电磁阀驱动等多种应用场景。N 沟道 MOSFET 在现代电子设备中广泛应用,因其具有低导通电阻和高电流承载能力,使其成为电力管理和控制系统中的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDSS): 最小值为 60V。
    - 栅源电压 (VGS): 连续额定值为 ±20V。
    - 连续漏极电流 (ID): 最大值为 52A。
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 最大值为 150A。
    - 总耗散功率 (@TC=25℃): 最大值为 83W。
    - 最大工作结温 (TJ): 最大值为 175℃。
    - 存储温度 (Tstg): -55℃ 至 175℃。
    - 热阻 (Rth j-c): 1.8℃/W。

    此外,该器件的技术参数还包括:
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 60V。
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V。
    - 导通电阻 (RDS(on)): 10V 下典型值为 12mΩ,6V 下典型值为 14mΩ。
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA。
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1uA。
    - 正向导通电压 (VSD): 典型值为 0.74V,最大值为 1.2V。

    产品特点和优势


    FDD5670 的主要优势在于其低导通电阻(典型值 12mΩ),这使得它在各种高电流应用场景下表现出色。另外,其高击穿电压和较大的单脉冲漏极电流使它能够在极端条件下稳定工作。这款 MOSFET 的耐温范围广(从 -55℃ 到 175℃),使其适用于广泛的工业和消费电子领域。此外,该产品的高可靠性设计,使得其在长期运行中表现出色,非常适合于需要长时间连续工作的应用场合。

    应用案例和使用建议


    FDD5670 MOSFET 适合多种应用场景,例如电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关和电磁阀驱动。在电机驱动应用中,其低导通电阻可以有效减少功耗,提高系统效率;在 DC-DC 转换器中,它可以确保稳定的电压转换;在电源开关中,其高击穿电压保证了系统的安全稳定运行。对于具体应用,建议根据电路的具体需求选择合适的驱动电路,以确保充分激发该 MOSFET 的性能。同时,需要关注散热问题,避免因过热而影响正常运行。

    兼容性和支持


    FDD5670 与标准的 N 沟道 MOSFET 接口兼容,可以轻松集成到现有电路中。此外,ISC 半导体公司提供详尽的技术支持文档和在线资源,帮助用户解决安装和使用过程中可能遇到的问题。如果有任何特殊应用需求,也可以直接联系 ISC 客服获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    在实际应用中,用户可能会遇到以下问题:
    1. 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:确保安装适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇。

    2. 问题:漏极电流不稳定
    - 解决方案:检查外部电路,特别是驱动电路和负载,确保它们能够正确驱动 MOSFET。
    3. 问题:门极电压波动大
    - 解决方案:使用更稳定的电源供应,并检查连接线是否有接触不良的情况。

    总结和推荐


    总体而言,FDD5670 MOSFET 凭借其出色的性能参数和广泛应用的特性,是一款值得推荐的产品。其高可靠性、低导通电阻以及广泛的工作温度范围使其在众多应用场景中表现出色。因此,对于需要高可靠性和高效率的应用,强烈推荐使用 FDD5670。同时,其良好的兼容性和完善的售后服务也使其成为市场上非常受欢迎的选择之一。

FDD5670参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

FDD5670厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDD5670数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDD5670 FDD5670数据手册

FDD5670封装设计

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