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IPB60R160C6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 4V@ 250uA 600V 4.7Ω@10V,950mA 1.9A
供应商型号: IPB60R160C6 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPB60R160C6

IPB60R160C6概述

    电子元器件产品技术手册:IPB60R160C6 N-Channel MOSFET

    产品简介


    IPB60R160C6是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于ISC公司的旗舰产品系列。该产品主要用于各种开关应用,能够提供高效率和可靠的性能。其主要功能包括低输入电容、低门极电荷、低门极输入电阻等。这些特性使得该产品广泛应用于电力转换、电机驱动、照明控制等领域。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=0.25mA 600 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS; ID=0.75mA | 2.5 | 3.5 V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 10V; ID=11.3A | 140 | 160 mΩ |
    | IGSS | 门源漏电流 | VGS= ±20V;VDS=0V ±0.1 | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=600V; VGS= 0V;Tj=25℃ | 1 100 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=11.3A, VGS = 0 V 0.9 | V |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 600 | V |
    | VGSS | 门源电压 | ±30 | V |
    | ID | 持续漏电流(Tc=25℃) | 23.8 | A |
    | ID | 持续漏电流(Tc=100℃) | 15 | A |
    | IDM | 单脉冲漏电流 | 70 | A |
    | PD | 总耗散功率(Tc=25℃) | 176 | W |
    | Tch | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~150 | ℃ |
    热特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth(ch-c) | 结到外壳热阻 | 0.71 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 结到环境热阻 | 62 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 低输入电容和低门极电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 低门极输入电阻:易于驱动,适用于需要快速开关的应用。
    - 100%雪崩测试:确保了更高的可靠性,减少了因过压导致的损坏风险。
    - 最小批次间差异:保证了批量生产时性能的一致性,增强了产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IPB60R160C6广泛用于各种开关应用,如电机驱动、逆变器、LED驱动器等。例如,在逆变器应用中,它可以显著降低开关损耗,提高能效。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议将该器件放置在良好的散热环境中,以避免因过热而导致性能下降。同时,注意门极驱动电路的设计,以减小开关噪声和电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB60R160C6采用了标准的To-263(D2PAK)封装,易于与其他电子元器件或设备兼容。
    - 支持:ISC公司提供了全面的技术支持和服务,包括产品文档、设计指南和技术咨询,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何降低器件的热损耗?
    解答:可以通过改善散热设计来降低热损耗,例如增加散热片或采用水冷系统。

    - 问题2:如何确保器件在高温环境下的稳定运行?
    解答:在高温环境下,建议使用具有较高热导率的材料进行散热,并定期监测器件的工作温度,确保不超过最大允许值。

    - 问题3:如何正确选择门极驱动电路?
    解答:根据具体的应用需求选择合适的门极驱动电路,确保驱动信号的幅度和频率符合器件要求,以避免误触发和振荡现象。

    总结和推荐


    IPB60R160C6 N-Channel MOSFET凭借其优异的性能和可靠性,是各种开关应用的理想选择。其低输入电容、低门极电荷、高可靠性和一致性使其在市场上具有很强的竞争力。此外,ISC公司提供的优质技术支持和全面的服务也大大提升了用户体验。因此,我强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的客户。

IPB60R160C6参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.7Ω@10V,950mA
Id-连续漏极电流 1.9A
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
通道数量 -

IPB60R160C6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPB60R160C6数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPB60R160C6 IPB60R160C6数据手册

IPB60R160C6封装设计

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