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2SK3112

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 2SK3112 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3112

2SK3112概述

    2SK3112 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK3112 是一款N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET)。它具有高耐压、低导通电阻、高可靠性等特点,适用于多种工业应用,包括电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDSS) | 200 V |
    | 栅源电压(VGSS) ±30 | V |
    | 持续漏电流(ID) 25 | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) 75 | A |
    | 最大耗散功率(PD) 100 | W |
    | 最大结温(TJ) 150 | ℃ |
    | 存储温度范围(Tstg) | -55 150 | ℃ |
    | 热阻抗(Rthj-c) 1.25 | ℃/W |
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(V(BR)DSS) | 200 V |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 2.5 4.5 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) 110 | mΩ |
    | 栅体漏电流(IGSS) ±10 | μA |
    | 零栅电压漏电流(IDSS) 0.1 | mA |
    | 正向导通电压(VSD) 1 | V |

    产品特点和优势


    1. 高耐压(200V):确保在高压环境下稳定运行。
    2. 低导通电阻(110mΩ):降低功耗,提高效率。
    3. 百分之百雪崩测试:确保高可靠性。
    4. 批次间一致性高:确保性能稳定。

    应用案例和使用建议


    2SK3112 在电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域广泛应用。具体使用时,需注意以下几点:
    1. 散热设计:由于最高耗散功率为100W,良好的散热设计是必须的,可采用散热片或风扇等辅助手段。
    2. 过压保护:考虑到击穿电压为200V,设计电路时需要加入过压保护措施。
    3. 电流限制:在驱动电机等高电流负载时,需合理控制电流,防止因电流过大导致损坏。

    兼容性和支持


    2SK3112 与其他标准的N-Channel MOSFET 具有良好的兼容性,可直接替换同类产品。厂商提供技术支持和服务,用户可通过官网获取详细资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过热损坏?
    - 答:安装散热片,增加散热风扇,确保电路板良好通风。

    2. 问:如何防止电路短路?
    - 答:在电路中加入保险丝或限流电阻,以保护电路免受短路影响。
    3. 问:如何选择合适的驱动电压?
    - 答:根据具体应用场景,选择合适的驱动电压。一般情况下,10V 的驱动电压较为合适。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3112 N-Channel MOSFET 凭借其高耐压、低导通电阻和高可靠性,在多种工业应用中表现出色。虽然需要良好的散热设计和一定的技术要求,但其高性能和稳定性使其成为理想的选择。强烈推荐在相关应用中使用此产品。

2SK3112参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

2SK3112厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

2SK3112数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 2SK3112 2SK3112数据手册

2SK3112封装设计

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