处理中...

首页  >  产品百科  >  FMV11N60E

FMV11N60E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65W 30V 600V 750mΩ@ 10V TO-220F
供应商型号: FMV11N60E TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FMV11N60E

FMV11N60E概述

    INCHANGE Semiconductor N-Channel MOSFET Transistor FMV11N60E 技术手册解析

    产品简介


    INCHANGE Semiconductor 的 N-Channel MOSFET Transistor FMV11N60E 是一款高性能的电子元器件,主要用于电源管理和控制电路中。该产品采用TO-220F封装形式,具备低功耗、低噪声、高耐压和高鲁棒性的特点。FMV11N60E 广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和不间断电源系统等领域。

    技术参数


    以下是 FMV11N60E 的主要技术参数和性能指标:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDSS | 漏源电压 | 600 | V |
    | VGSS | 栅源电压 ±30 V |
    | ID | 漏极电流(连续) | 11 | A |
    | IDM | 漏极电流(单脉冲) | 44 | A |
    | PD | 总耗散功率 | Ta=25℃ 65 | W |
    | Tj | 工作结温 -55 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 -55 150 | ℃ |
    | Rth(ch-c) | 结至外壳热阻 | 1.9 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 结至环境热阻 | 58 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 低功耗:具有出色的低导通电阻特性(RDS(on) ≤ 750mΩ),有效降低能量损耗。
    - 低噪声:优秀的高频性能使其在电磁干扰敏感的应用环境中表现优异。
    - 高可靠性:100%经过雪崩测试,确保在极端条件下也能稳定工作。
    - 易于使用:栅源电压范围宽(±30V),方便设计工程师进行集成。
    - 批次一致性好:通过严格的批次检测,保证产品间的性能差异极小。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FMV11N60E 常用于高压直流转换器中,例如电源适配器和电池充电器。它的高耐压能力和低损耗特性能够显著提高系统的整体效率。另外,在不间断电源(UPS)中,它也因其卓越的过载承受能力而被广泛采用。
    使用建议
    1. 在使用 FMV11N60E 时,应注意控制漏极电流和栅源电压,避免超过最大额定值。
    2. 设计散热方案时,考虑结到环境的热阻(58℃/W),并合理分配散热片大小,以确保最佳工作温度范围。
    3. 为确保长期可靠运行,建议进行定期检查并根据需要更换。

    兼容性和支持


    FMV11N60E 可以与多种控制芯片和其他功率器件无缝配合使用,适用于不同的系统架构。INCHANGE Semiconductor 提供全面的技术支持,包括产品选型指导、样品申请和技术咨询等服务。此外,客户还可以访问公司官网 www.iscsemi.cn 获取更多资料和技术文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 漏电流过高 | 检查栅源电压是否超出规定范围;确认驱动电路是否正常工作 |
    | 导通电阻异常增加 | 确认焊接工艺是否正确;检查是否有外部短路情况 |
    | 高温环境下性能下降 | 调整散热方案,加大散热片面积;减少负载电流以降低温升 |

    总结和推荐


    综上所述,INCHANGE Semiconductor 的 FMV11N60E MOSFET 凭借其优越的性能和广泛应用前景,在电源管理和控制领域表现出色。无论是从耐用性还是易用性角度考虑,这款产品都值得高度推荐。如果您正在寻找一种高效且可靠的解决方案来提升您的电力管理系统性能,那么 FMV11N60E 绝对是一个理想的选择。

FMV11N60E参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 65W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
应用等级 工业级

FMV11N60E厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FMV11N60E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FMV11N60E FMV11N60E数据手册

FMV11N60E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 16.875
1000+ ¥ 10.8
库存: 20000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 84.37
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336