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NTP082N65S3F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: NTP082N65S3F TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) NTP082N65S3F

NTP082N65S3F概述


    产品简介


    NTP082N65S3F 是一款由 INCHANGE Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET 转换器,采用 TO-220 封装。这款 MOSFET 具备高速开关能力,适用于各种高要求的应用场合,如功率因数校正(PFC)阶段、不间断电源(UPS)、电源供应和切换应用。它的设计旨在提供非常高的耐浪涌能力和易于使用的特性,适用于需要长期稳定工作的环境。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGSS): ±30 V
    - 漏源电压 (VDSS): 650 V
    - 持续漏极电流 (ID): @Tc=25℃: 40 A, @Tc=100℃: 25.5 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 100 A
    - 总耗散功率 (PD): 313 W
    - 工作结温 (Tj): -55~150 ℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~150 ℃
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻 (Rth(ch-c)): 0.4 ℃/W
    - 结到环境热阻 (Rth(ch-a)): 62.5 ℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 650 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 3.0~5.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 70~82 mΩ (在 VGS=10V, ID=20A 条件下)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±0.1 μA
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 10 μA
    - 二极管正向电压 (VSDF): 1.3 V (ISD=20A, VGS=0 V)

    产品特点和优势


    NTP082N65S3F 的显著特点是高可靠性、耐浪涌能力强、易于使用和较低的栅源泄漏电流。这些特性使其在多种应用场景中表现出色。此外,由于其 100% 雪崩测试验证,确保了其在极端条件下的稳定性,非常适合用于需要高可靠性的应用。

    应用案例和使用建议


    NTP082N65S3F 广泛应用于 PFC 阶段、UPS、电源供应及切换应用中。例如,在 UPS 系统中,它可以有效地提高系统的效率和可靠性。对于需要高可靠性应用的用户,可以考虑采取额外的散热措施,以确保其在高温环境中的稳定运行。同时,为了降低功耗,建议选择合适的驱动电路以减少栅极驱动损耗。

    兼容性和支持


    NTP082N65S3F 与多数标准驱动电路和控制器兼容,可以方便地集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术文档和专业的技术支持,确保客户能够顺利使用该产品。如果需要更深入的技术咨询或定制化解决方案,建议联系厂商的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品过热
    - 解决方案: 增加散热片或者改进散热方案,确保良好的热传导。
    - 问题2: 驱动不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保适当的栅极电阻,避免过高或过低的栅极驱动电压。
    - 问题3: 开关损耗高
    - 解决方案: 使用低损耗的驱动电路,优化开关时序,减少死区时间。

    总结和推荐


    总体来看,NTP082N65S3F 是一款性能优异、稳定性高且易于使用的 N 沟道 MOSFET 转换器。它在多种应用场景中表现出色,特别是在高可靠性和耐浪涌能力方面具有明显的优势。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能 MOSFET 的应用工程师和技术人员。

NTP082N65S3F参数

参数
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

NTP082N65S3F厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

NTP082N65S3F数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 NTP082N65S3F NTP082N65S3F数据手册

NTP082N65S3F封装设计

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