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FDPF20N50FT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40nC 2个N沟道 500V 20A 3.39nF@ 25V TO-220F
供应商型号: FDPF20N50FT TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDPF20N50FT

FDPF20N50FT概述

    FDPF20N50FT N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDPF20N50FT 是一款由ISC Semiconductor公司生产的N沟道MOSFET晶体管,主要应用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域。其出色的电气特性和可靠性使其成为多种工业和消费电子产品中不可或缺的关键部件。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏极电流 (ID): 20A (Ta=25℃)
    - 漏源电压 (VDSS): 500V (最小值)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.26Ω (最大值) (VGS=10V)

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 500V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V (连续)
    - 漏极电流 (ID): 20A (连续)
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 80A
    - 总耗散功率 (PD): 38.5W (@Ta=25℃)
    - 最大结温 (TJ): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃~150℃
    - 热阻
    - 热阻 (Rth j-c): 3.3℃/W (结到壳)
    - 电气特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 500V (VGS=0; ID=0.25mA)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 3.0V~5.0V (VDS=VGS; ID=0.25mA)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.26Ω (VGS=10V; ID=10A)
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS=±30V; VDS=0)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 10uA (VDS=500V; VGS=0)
    - 正向导通电压 (VSD): 1.5V (IS=20A; VGS=0)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:经过100%雪崩测试,确保在恶劣环境中仍能稳定运行。
    - 低导通电阻:0.26Ω的最大导通电阻,在相同电压下比其他同类产品具有更低的功耗。
    - 低栅体泄漏电流:±100nA的栅体泄漏电流使得栅极驱动更加高效,降低损耗。
    - 低温升设计:低至3.3℃/W的热阻系数,确保长时间工作时结温不会过高。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电机驱动:适用于各种电机控制电路,提供稳定的电流控制。
    - 直流-直流转换器:在高频开关应用中表现出色,适合电力电子变换器的设计。
    - 电源开关:用于各类电源管理电路,实现高效的能量转换。
    - 电磁阀驱动:在工业自动化系统中作为电磁阀驱动器,提高系统的可靠性和响应速度。
    - 使用建议
    - 过热保护:确保良好的散热措施,防止过热导致损坏。
    - 合理布局:尽量减小PCB上的寄生电感,以减少开关过程中的瞬态干扰。
    - 驱动电路设计:选用合适的栅极驱动芯片,确保快速且稳定的开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDPF20N50FT可以与其他标准N沟道MOSFET驱动器和控制器完美兼容,方便集成到现有的电子系统中。
    - 支持和服务:ISC Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南、快速的技术响应和定制化解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 如何确保正确的栅极驱动?
    - A1: 使用具有足够驱动能力的驱动芯片,确保栅极电压达到所需值。同时检查电路中的RC滤波网络,避免不必要的振荡。
    - Q2: 如何选择合适的散热片?
    - A2: 根据产品的总功耗和环境温度,选择合适尺寸和材质的散热片。建议使用带有热管的散热器以提高散热效率。
    - Q3: 如何防止栅极噪声干扰?
    - A3: 在栅极电路中加入合适的RC滤波网络,减少噪声干扰。确保接地良好,减少EMI的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDPF20N50FT N沟道MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在多种应用场景中表现出色。其低导通电阻、高可靠性和良好的兼容性使其成为众多工程师和设计师的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的电力电子系统中。

FDPF20N50FT参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.39nF@ 25V
栅极电荷 40nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220F
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDPF20N50FT厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDPF20N50FT数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDPF20N50FT FDPF20N50FT数据手册

FDPF20N50FT封装设计

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