处理中...

首页  >  产品百科  >  FDP036N10A

FDP036N10A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: FDP036N10A TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP036N10A

FDP036N10A概述

    电子元器件产品技术手册解析:FDP036N10A N-Channel MOSFET Transistor

    1. 产品简介


    FDP036N10A N-Channel MOSFET Transistor 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种应用场景。它具有高电流承载能力和低导通电阻,能够广泛应用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁阀驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDSS):100V
    - 连续漏极电流(ID):214A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):856A
    - 最大耗散功率(PD):333W @ TC=25℃
    - 热阻(Rth j-c):0.45℃/W
    - 最大工作结温(TJ):-55~175℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55~175℃
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ @ VGS=10V, ID=75A

    3. 产品特点和优势


    - 高电流承载能力:能承受高达856A的单脉冲漏极电流,适合需要大电流的应用场合。
    - 低导通电阻:3.6mΩ的导通电阻使得该MOSFET在开启状态下的功率损耗非常低,提高了系统的整体效率。
    - 100%雪崩测试:经过严格的质量控制,确保了设备的可靠性和稳定性。
    - 最小批次间差异:保证了不同批次产品的一致性,降低了生产过程中的不确定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机驱动:适合用于高功率电机驱动,确保平稳和高效的运行。
    - DC-DC转换器:利用其高效率特性,在高功率转换过程中减少能量损失。
    - 电源开关:在高负载情况下,该MOSFET能提供稳定的开关性能,确保系统的可靠运行。
    使用建议:
    - 确保在正常工作温度范围内使用,以避免因过热导致的损坏。
    - 在使用过程中注意散热,特别是在高电流条件下运行时。
    - 为了最大限度地发挥其性能,建议在设计电路时考虑使用适当的栅极驱动器,以确保开关过程的高效性。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET具有广泛的兼容性,适用于多种标准电路设计。厂商提供了详细的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏源电压(VDSS)超过了最大额定值怎么办?
    A: 立即停止使用,并检查电路设计是否存在缺陷。调整电路以确保不超过其最大额定值。
    - Q: 遇到过热现象怎么办?
    A: 增加散热措施,如使用散热片或风扇,或者优化电路设计以减少功耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDP036N10A N-Channel MOSFET Transistor 是一款高性能且可靠性高的产品,非常适合于需要高电流承载能力、低导通电阻和良好稳定性的应用场景。无论是用于工业设备还是消费电子产品,该产品都表现出色,能够显著提升系统的整体性能。因此,我们强烈推荐在相关应用中使用这款MOSFET。

FDP036N10A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通用封装 TO-220

FDP036N10A厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP036N10A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP036N10A FDP036N10A数据手册

FDP036N10A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 18.75
1000+ ¥ 12
库存: 20000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 93.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336