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FDP39N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: FDP39N20 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP39N20

FDP39N20概述

    FDP39N20 N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    FDP39N20 是一款由ISC半导体公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管。它具备高性能、高可靠性的特点,适用于各种开关应用和电源管理。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 66mΩ@VGS=10V)和高耐压(VDSS ≥ 200V)特性,能够满足多种工业和消费电子领域的应用需求。

    技术参数


    以下是FDP39N20的关键技术参数:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | VDSS | 漏源击穿电压 | - | - | 200 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | 3 | 4 | 5 | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | - | - | 66 | mΩ |
    | IGSS | 门极漏电流 | - | - | ±100 | nA |
    | IDSS | 源漏漏电流 | - | - | 10 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | - | - | 1.4 | V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 200V
    - 门源电压 (VGSS): ±30V
    - 漏电流 (ID): 39A
    - 单脉冲峰值电流 (IDM): 156A
    - 功耗 (PD): 251W
    - 工作结温 (Tj): -55~150℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~150℃
    热阻参数:
    - 渠道到外壳热阻 (Rth(ch-c)): 0.5℃/W

    产品特点和优势


    FDP39N20 具备多项显著特点:
    - 高可靠性:100%雪崩测试确保产品在极端条件下的稳定运行。
    - 低导通电阻:典型值仅为66mΩ,有助于减少功耗和提高效率。
    - 宽广的工作范围:能够承受高达200V的漏源电压和39A的连续漏电流。
    - 稳健设计:具有最小化批间差异的设计,确保高度一致性。

    应用案例和使用建议


    FDP39N20 适用于多种应用场景,包括电源管理和各类开关应用。例如,在开关电源中,可以利用其低导通电阻和高耐压特性来实现高效的功率转换。为了最大化性能,建议在电路设计时考虑散热措施,以避免过高的结温导致性能下降。此外,根据不同的应用场景选择合适的门极驱动电压,可进一步优化性能。

    兼容性和支持


    FDP39N20 与其他常见的电源管理组件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。ISC半导体公司提供全面的技术支持,包括产品咨询、技术支持和售后服务,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:FDP39N20 在什么条件下会出现雪崩现象?
    答:在高能量瞬态情况下,如雷击或电网波动,可能会触发雪崩效应。确保系统的保护措施完善,避免此类现象发生。
    2. 问:如何降低FDP39N20 的工作温度?
    答:通过增加散热片或使用外部冷却装置来增强散热效果。合理设计PCB布局,使器件周围保持良好的空气流通也有助于降低工作温度。
    3. 问:如果FDP39N20 发生故障,如何判断是器件本身还是其他部分引起的问题?
    答:可以通过测量关键电气参数(如漏电流、门极泄漏电流等)来诊断。若这些参数超出正常范围,则可能是器件本身的问题。建议联系供应商获取专业的检测服务。

    总结和推荐


    FDP39N20是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,具备出色的性能和可靠性。其低导通电阻和高耐压特性使其成为开关电源和电源管理应用的理想选择。通过结合ISC半导体公司的强大支持,这款产品无疑能为各种应用提供可靠的解决方案。因此,我强烈推荐FDP39N20给需要高效能功率管理的客户。

FDP39N20参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220

FDP39N20厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP39N20数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP39N20 FDP39N20数据手册

FDP39N20封装设计

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