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IPP60R099C7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPP60R099C7 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R099C7

IPP60R099C7概述

    电子元器件技术手册:IPP60R099C7 N-Channel MOSFET Transistor

    产品简介


    IPP60R099C7是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于需要快速开关性能的电子设备。该晶体管结合了快速切换的SJ MOSFET的优势,具备出色的易用性。它广泛应用于电源转换器、逆变器、电机驱动等电力电子系统中。

    技术参数


    IPP60R099C7的主要技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=0.25mA | 600 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=1.2mA | 2.5 3.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=18A 0.099 Ω |
    | 门极漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V 0.1 | μA |
    | 漏源漏电流 | IDSS | VDS=600V, VGS=0V 5 | μA |
    | 二极管正向电压 | VSD | IF=18A, VGS=0V 1.2 | V |
    绝对最大额定值(Ta=25℃):
    | 参数 | 符号 | 条件 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS 600 | V |
    | 门源电压 | VGS ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID 22 | A |
    | 单脉冲漏电流 | IDM 83 | A |
    | 总耗散功率 | PD | TC=25℃ | 110 | W |
    | 最大结温 | Tj 150 | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg -55~150 | ℃ |
    热特性:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 结至外壳热阻 | Rth(ch-c) | 1.135 | ℃/W |
    | 结至环境热阻 | Rth(ch-a) | 62 | ℃/W |

    产品特点和优势


    IPP60R099C7具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.099Ω):这使得它能够实现高效的能量转换和较低的功耗。
    - 快速开关速度:适用于要求快速响应时间的应用。
    - 增强模式操作:确保在未施加电压时处于关闭状态,避免不必要的功耗。
    - 高可靠性:经过100%雪崩测试,具有极低的批次间差异,确保可靠的操作。
    - 易于使用:设计简洁,便于集成到各种电路中。

    应用案例和使用建议


    IPP60R099C7可广泛应用于以下场景:
    - 电源转换器:在高压直流电源转换中提供高效的能量传输。
    - 逆变器:用于太阳能发电系统中的高效逆变过程。
    - 电机驱动:在需要快速响应的电机控制应用中提供可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的热阻,确保良好的散热设计以维持稳定的工作温度。
    - 电压保护:使用合适的门极电阻和电容以防止过高的门极电压损坏。

    兼容性和支持


    IPP60R099C7与其他标准N沟道MOSFET产品兼容,可以方便地替换同类产品。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:高温下器件性能下降。
    解决方案:改善散热设计,使用更大的散热片或散热风扇。

    - 问题:开关速度慢导致效率降低。
    解决方案:检查电路设计,确保门极驱动信号的强度和频率满足要求。

    总结和推荐


    IPP60R099C7凭借其优异的性能参数和广泛应用范围,是一款值得推荐的高性能N沟道MOSFET晶体管。无论是从效率还是可靠性来看,它都是电源转换和电机驱动等领域的理想选择。强烈推荐在上述应用场景中使用该产品,以获得最佳的性能表现。

IPP60R099C7参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220

IPP60R099C7厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPP60R099C7数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPP60R099C7 IPP60R099C7数据手册

IPP60R099C7封装设计

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