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FDA59N30

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 100nC@ 240V 2个N沟道 300V 59A 4.67nF@ 25V TO-3P
供应商型号: FDA59N30 TO-3P
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDA59N30

FDA59N30概述

    Isc N-Channel MOSFET Transistor FDA59N30 技术手册

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor FDA59N30 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为各种开关应用设计。这款器件采用TO-3P封装,具有低输入电容和栅极电荷,能够在高频应用中提供高效的开关性能。该器件经过100%雪崩测试,确保在极端条件下的稳定运行。FDA59N30 主要应用于各种电子设备中的开关电源管理、电机驱动、直流/交流转换等领域。

    技术参数


    以下是FDA59N30的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=0.25mA | 300 V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=0.25mA | 3.0 | 5.0 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=29.5A 47 | 56 | mΩ |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | ±0.1 μA |
    | 漏源漏电流 | IDSS | VDS=300V, VGS=0V, Tj=25℃ | 1 10 | μA |
    | 二极管正向电压 | VSDF | ISD=59A, VGS=0V 1.4 V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS):300 V
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 连续漏电流 (ID):25℃时59 A,100℃时35 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM):236 A
    - 总耗散功率 (PD):25℃时500 W
    - 最大结温 (Tch):150 ℃
    - 存储温度 (Tstg):-55~150 ℃
    热特性:
    - 通道到外壳热阻 (Rth(ch-c)):0.25 ℃/W
    - 通道到环境热阻 (Rth(ch-a)):40 ℃/W

    产品特点和优势


    FDA59N30具有以下显著特点和优势:
    1. 低输入电容和栅极电荷:有助于降低开关损耗,提高效率。
    2. 高可靠性:100%雪崩测试,保证在极端条件下的稳定性能。
    3. 最小批次间差异:确保每个批次的产品性能一致,提高整体系统的可靠性和稳定性。
    4. 适用广泛:适用于多种应用领域,如开关电源、电机驱动等。

    应用案例和使用建议


    FDA59N30适用于多种开关电源管理、电机驱动和直流/交流转换应用。例如,在开关电源中,该器件可以用于实现高效能的功率转换,减少能源浪费。使用建议如下:
    1. 在高温环境下工作时,确保散热措施到位,避免因过热而导致的性能下降。
    2. 注意栅极驱动信号的质量,以减少不必要的栅极泄漏电流。
    3. 使用外部散热片或其他散热方法,以维持结温在安全范围内。

    兼容性和支持


    目前,FDA59N30未明确提及与其他电子元器件的具体兼容性信息。然而,该器件采用了标准的TO-3P封装,便于与其他主流封装兼容的器件集成。此外,Isc公司提供了详细的技术支持文档,用户可以访问官方网站或联系技术支持获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅源电压 (VGS) 超过额定值,导致损坏。
    - 解决办法:严格遵守器件的最大额定值限制,使用适当的栅极驱动电路。

    2. 问题:在高电流应用中,结温过高导致性能下降。
    - 解决办法:确保良好的散热设计,如使用散热片或风扇辅助散热。

    总结和推荐


    Isc N-Channel MOSFET Transistor FDA59N30 是一款高性能的功率场效应晶体管,具备出色的开关性能和高可靠性。适合于多种应用场合,特别是要求低功耗和高效率的应用。对于需要高性能开关器件的工程师来说,这是一款值得考虑的优质选择。

FDA59N30参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 59A
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 300V
栅极电荷 100nC@ 240V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.67nF@ 25V
通用封装 TO-3P
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDA59N30厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDA59N30数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDA59N30 FDA59N30数据手册

FDA59N30封装设计

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